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数据更新时间
2026-05-12
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半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 第IV章
检测项目：漏源极截止电流I<Sub>DSS</Sub>、静态漏-源通态电阻r<Sub>DS</Sub>
检测对象：场效应晶体管
GJB 128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：漏源击穿电压V（BR）DSS
检测对象：场效应晶体管
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：漏源击穿电压V（BR）DSS
检测对象：场效应晶体管