湖北省
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数据更新时间
2026-05-12
按“GB/T29332-2012”筛选，展示 7 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 1 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：栅极-发射极阀值电压VGEth、集电极截止电流ICES、栅极漏电流IGES、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、集电极-发射极电压VCES、栅极-发射极电压±VGES、集电极-发射极击穿电压V（BR）CES、V（BR）ECS
检测对象：绝缘栅双极性晶体管（IGBT）