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2026-05-12
按“S”筛选，展示 162 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 27 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法
检测项目：正向电压（二极管）、二极管正向电流、反向电流（二极管）、反向击穿电压（二极管）、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、输出截止电流、电流传输比 等 22 项，点击展开全部
检测对象：光电耦合器
SJ 20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项目：输出电压、输出电流、输出纹波电压、电压调整率（源效应）、电流调整率（负载效应）、交叉调整率、输入电流、输出电压温度系数 等 17 项，点击展开全部
检测对象：DC/DC变换器
SJ 20961-2006
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理
检测项目：失调、增益误差、线性误差、微分线性误差、功耗、转换时间、数字输出高电平、数字输出低电平 等 16 项，点击展开全部
检测对象：A/D转换器
检测对象：D/A转换器
SJ/T10805-2018
半导体集成电路电压比较器测试方法
检测项目：输入失调电压、输入失调电流、输入偏置电流、静态功耗、开环电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出高电平电压 等 11 项，点击展开全部
检测对象：电压比较器
AMSE B 1.20.1-2013
通用管螺纹
检测项目：中径、小径、大径、螺距、牙侧角、锥度
检测对象：通用管螺纹
SJT11706-2017
半导体集成电路 现场可编程门阵列测试方法
检测项目：功能测试、输出高电平电压和输出低电平电压、输入高电平电流和输入低电平电流、上电电流
检测对象：现场可编程门阵列（FPGA）
GB/T 17421.2-2023/ISO 230-2:2014
机床检验通则 第2部分 数控轴线的定位精度和重复定位精度的确定
检测项目：定位精度、重复定位精度
检测对象：数控机床
SJ/T 10694-2022
电子产品制造与应用系统防静电测试方法
检测项目：点对点电阻、系统电阻
检测对象：防静电产品
PEM-INST-001
塑料封装微电路（PEM）选择、筛选和鉴定说明
检测项目：声学扫描显微镜检查
检测对象：电子元器件
水质 无机阴离（F<SUP>-</SUP>、Cl<SUP>-</SUP>、NO<SUB>2</SUB><SUP>-</SUP>、Br<SUP>-</SUP>、NO<SUB>3</SUB><SUP>-</SUP>、PO<SUB>4</SUB><SUP>3-</SUP>、SO<SUB>3</SUB><SUP>2-</SUP>、S0<SUB>4</SUB><SUP>2-</SUP>）的测定离子色谱法
检测项目：氯化物
检测对象：水和废水
AMS 2750H-2024
航空材料规范 高温测量
检测项目：温度
检测对象：热处理炉
半导体集成电路 第2部分 数字集成电路 第IV篇第3节
检测项目：功能、输出高电平电压和输出低电平电压、输入高电平电流和输入低电平电流、输出短路电流、静态条件下的电源电流、输入阈值电压和滞后电压、输入钳位电压、输出高阻态电流 等 16 项，点击展开全部
检测对象：CMOS电路
检测对象：MOS随机存贮器
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：反向电流I<Sub>R</Sub>、正向电压V<Sub>F</Sub>、集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流I<Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压VBEsat、漏源击穿电压V（BR）DSS 等 9 项，点击展开全部
检测对象：二极管
检测对象：晶体管
检测对象：场效应晶体管
检测对象：绝缘栅双极性晶体管（IGBT）
检测对象：破坏性物理分析(DPA)
半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 第IV章
检测项目：栅源极截止（漏泄）电流I<Sub>GSS</Sub>、漏源极截止电流I<Sub>DSS</Sub>、栅-源截止电压V<Sub>GSoff</Sub>、栅-源阈值电压VGS（th）、正向跨导g<Sub>fs</Sub>、静态漏-源通态电阻r<Sub>DS</Sub>、栅源击穿电压V（BR）GSS
检测对象：场效应晶体管
检测对象：绝缘栅双极性晶体管（IGBT）
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：集电极截止电流ICES、栅极漏电流IGES、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、集电极-发射极电压VCES、栅极-发射极电压±VGES、集电极-发射极击穿电压V（BR）CES、V（BR）ECS
检测对象：绝缘栅双极性晶体管（IGBT）
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极性晶体管 第IV章 第1节
检测项目：集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流I<Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压VBEsat
检测对象：晶体管
GJB 128A-1997
半导体分立器件试验方法
检测项目：反向电流I<Sub>R</Sub>、正向电压V<Sub>F</Sub>、漏源击穿电压V（BR）DSS、扫描电子显微镜（SEM）检查
检测对象：二极管
检测对象：场效应晶体管
检测对象：绝缘栅双极性晶体管（IGBT）
检测对象：破坏性物理分析(DPA)
半导体器件分立器件和集成电路第2部分： 整流二极管
检测项目：反向电流I<Sub>R</Sub>、正向电压V<Sub>F</Sub>
检测对象：二极管
检测对象：绝缘栅双极性晶体管（IGBT）
半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管
检测项目：工作电压V<Sub>Z</Sub>、微分电阻r<Sub>Z</Sub>
检测对象：二极管
GJB 675A-2002
有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范
检测项目：直流电阻R<Sub>DC</Sub>
检测对象：电感器
GJB 1864A-2011
射频固定和可变片式电感器通用规范
检测项目：直流电阻R<Sub>DC</Sub>
检测对象：电感器
射频固定和可变电感器通用规范
检测项目：直流电阻R<Sub>DC</Sub>
检测对象：电感器
GJB1648A-2011
晶体振荡器通用规范
检测项目：起振时间start-up time
检测对象：晶体振荡器
GJB 4027A-2006
电子元器件破坏性物理分析方法 工作项目0601/2.7、0902/2.8、1001/2.5、1002/2.10、1003/2.10、1101/2.9、1102/2.9、1103/2.7、1201/2.9、1202/2.9、1301/2.8、1403/1.5、
检测项目：扫描电子显微镜（SEM）检查
检测对象：破坏性物理分析(DPA)
GJB 4027B-2021
电子元器件破坏性物理分析方法 工作项目0601/2.7，0702/2.10、0902/2.10、1003/2.10、1101/2.10、1102/2.10、1201~1301/2.10，1004/2.8、1103/2.8、1104/2.8，1403/
检测项目：扫描电子显微镜（SEM）检查
检测对象：破坏性物理分析(DPA)
GJB 548B-2005
微电子器件试验方法和程序 方法
检测项目：扫描电子显微镜（SEM）检查
检测对象：破坏性物理分析(DPA)
GJB 548C-2021
微电子器件试验方法和程序 方法
检测项目：扫描电子显微镜（SEM）检查
检测对象：破坏性物理分析(DPA)