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数据更新时间
2026-05-12
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半导体器件分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目：漏源极截止电流<I>I</I><Sub>DSS</Sub>、栅-源阈值电压<I>V</I><Sub>GSth</Sub>、正向跨导<I>g</I>fs、静态漏-源通态电阻<I>r</I><Sub>DS</Sub>、栅源截止（漏泄）电流<I>I</I><Sub>GSS</Sub>
检测对象：MOS场效应管
GJB128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：漏源击穿电压 <I>V</I><Sub>BRDSS</Sub>
检测对象：MOS场效应管
GJB128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：漏源击穿电压 <I>V</I><Sub>BRDSS</Sub>
检测对象：MOS场效应管