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河北北芯半导体科技有限公司

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河北省 · 石家庄市

地址:河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号

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数据更新时间

2026-05-12

能力范围

按“导体”筛选,展示 500 条相关能力(共 598 条,已先展示前 500 条)(含该机构旗下分支机构)。

按标准归类为 65 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

GJB 128B-2021

半导体分立器件试验方法 方法

31 项检测项目

检测项目:耐湿、粒子碰撞噪声检测、密封、X射线照相检验、高温试验、温度循环(空气-空气)、热冲击(液体-液体)、盐雾(盐汽) 等 31 项,点击展开全部

检测对象:电子元器件

耐湿温度循环(空气-空气)高温试验盐雾(盐汽)低气压机械冲击振动试验

检测对象:电子元器件(物理性能)

粒子碰撞噪声检测密封X射线照相检验

检测对象:电子元器件及设备(气候)

高温试验耐湿温度循环(空气-空气)热冲击(液体-液体)盐雾(盐汽)低气压

检测对象:电子元器件及设备(寿命及可靠性)

稳态寿命间歇寿命老炼试验

检测对象:电子元器件及设备(机械性能)

机械冲击(电子元器件)恒定加速度扫频振动

检测对象:二极管

正向电压反向电流

检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)

外部目检X射线检查粒子碰撞噪声检测密封内部目检键合强度扫描电子显微镜检查芯片剪切强度内部气体成份分析引出端强度可焊性

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

外部目检物理尺寸粒子碰撞噪声检测密封引出端强度可焊性内部目检键合强度芯片剪切强度耐焊接热X射线照相检验扫描电子显微镜(SEM)检查内部水汽含量

GJB 128A-1997

半导体分立器件试验方法 方法

30 项检测项目

检测项目:耐湿、粒子碰撞噪声检测、密封、X射线照相检验、高温试验、温度循环(空气-空气)、热冲击(液体-液体)、盐雾(盐汽) 等 30 项,点击展开全部

检测对象:电子元器件

耐湿高温试验温度循环(空气-空气)盐雾(盐汽)低气压机械冲击振动试验

检测对象:电子元器件(物理性能)

粒子碰撞噪声检测密封X射线照相检验

检测对象:电子元器件及设备(气候)

高温试验耐湿温度循环(空气-空气)热冲击(液体-液体)盐雾(盐汽)低气压

检测对象:电子元器件及设备(寿命及可靠性)

稳态寿命间歇寿命老炼试验

检测对象:电子元器件及设备(机械性能)

机械冲击(电子元器件)恒定加速度扫频振动

检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)

外部目检X射线检查粒子碰撞噪声检测密封内部目检键合强度扫描电子显微镜检查芯片剪切强度内部气体成份分析引出端强度可焊性

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

外部目检物理尺寸粒子碰撞噪声检测密封耐溶剂性试验引出端强度可焊性内部目检键合强度芯片剪切强度耐焊接热X射线照相检验扫描电子显微镜(SEM)检查内部水汽含量
GJB 3157-1998

半导体分立器件失效分析方法和程序 方法

21 项检测项目

检测项目:芯片粘接的超声检测、制样镜检、外观检查、电性能测试、烘焙或真空烘焙、清洗、间歇工作检查、密封检漏 等 21 项,点击展开全部

检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)

芯片粘接的超声检测制样镜检

检测对象:半导体分立器件(失效分析)

外观检查电性能测试烘焙或真空烘焙清洗间歇工作检查密封检漏粒子碰撞噪声检测X射线检查开封内部检查探针电测试扫描电子显微镜检测红外扫描热像检测机械试验(振动、冲击、离心)钝化层缺陷分析金属化层缺陷分析引线键合点分析芯片剪切强度内部气体分析

SJ/T 11394-2009

半导体发光二极管测试方法

20 项检测项目

检测项目:静电放电敏感度分级 人体放电模型(HBM)、静电放电敏感度分级 机械模型(MM)、发光强度Iv(平均LED强度)、正向电压VF、反向电流IR、峰值发射波长λP、光谱辐射带宽Δλ、半强度角θ1/2 等 20 项,点击展开全部

检测对象:电子产品(静电敏感)

静电放电敏感度分级 人体放电模型(HBM)静电放电敏感度分级 机械模型(MM)

检测对象:发光二极管

发光强度Iv(平均LED强度)正向电压VF反向电流IR峰值发射波长λP光谱辐射带宽Δλ半强度角θ1/2反向电压总电容角偏差总光通量光通量效率辐射通量辐射效率光谱功率分布色品坐标主波长颜色刺激纯度相关色温
GB/T 17940-2000

半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 第IV篇第2节

18 项检测项目

检测项目:输入失调电压、输入偏置电流(同相)、输入偏置电流(反相)、输入失调电流、开环电压放大倍数、共模抑制比、正电源电压抑制比、负电源电压抑制比 等 18 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路(运算放大器、电压比较器)

输入失调电压输入偏置电流(同相)输入偏置电流(反相)输入失调电流开环电压放大倍数共模抑制比正电源电压抑制比负电源电压抑制比正输出电压范围负输出电压范围输出电压范围正电源电流负电源电流电源电流

检测对象:半导体集成电路(稳压器)

电压调整率电流调整率耗散电流基准电压

检测对象:半导体集成电路(模拟开关)

电源电流
GB/T 17574-1998

半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第IV篇第3节

17 项检测项目

检测项目:延迟时间、输出高电平电压、输出低电平电压、输入高电平电流、输入低电平电流、输出高电平时电源电流、输出低电平时电源电流、输出短路电流 等 17 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路(数字集成电路)

延迟时间输出高电平电压输出低电平电压输入高电平电流输入低电平电流输出高电平时电源电流输出低电平时电源电流输出短路电流输入电流输入箝位电压电源电流输出高阻态电流输入正向阈值电压输入负向阈值电压滞后电压动态条件下的总电源电流功能检验

检测对象:半导体集成电路(时基电路)

输出高电平电压输出低电平电压
GJB 3233-1998

半导体集成电路失效分析程序和方法

17 项检测项目

检测项目:扫描电子显微镜检查、制样镜检、外部检查、电参数测试、非功能测试、X射线照相、外壳清洗、试验分析 等 17 项,点击展开全部

检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)

扫描电子显微镜检查制样镜检

检测对象:半导体集成电路(失效分析)

外部检查电参数测试非功能测试X射线照相外壳清洗试验分析颗粒碰撞噪声检测密封性试验管壳开封内部检查和清洗真空烘焙多头探针测试键合强度测试红外扫描热像检测壳内气氛分析
GB/T 4586-1994

半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 第IV

15 项检测项目

检测项目:源极开路时,栅极截止电流、漏-源短路时,栅极截止电流、漏极开路时,栅极截止电流、栅-源截止电压、栅-源阈值电压、漏-源电压、栅-源短路时的漏极电流、漏极电流 等 15 项,点击展开全部

检测对象:场效应晶体管

源极开路时,栅极截止电流漏-源短路时,栅极截止电流漏极开路时,栅极截止电流栅-源截止电压栅-源阈值电压漏-源电压栅-源短路时的漏极电流漏极电流漏-源通态电阻正向跨导噪声系数噪声电压散射参数结至环境的热阻/结至壳的热阻正向偏置安全工作区
GJB 9147-2017

半导体集成电路运算放大器测试方法

14 项检测项目

检测项目:输入失调电压、输入偏置电流(同相)、输入偏置电流(反相)、输入失调电流、开环电压放大倍数、共模抑制比、正电源电压抑制比、负电源电压抑制比 等 14 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路(运算放大器、电压比较器)

输入失调电压输入偏置电流(同相)输入偏置电流(反相)输入失调电流开环电压放大倍数共模抑制比正电源电压抑制比负电源电压抑制比正输出电压范围负输出电压范围输出电压范围静态功耗转换速率增益带宽乘积
GB/T 4587-2023

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管

13 项检测项目

检测项目:集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流、共发射极正向电流传输比、发射极-基极截止电流、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压 等 13 项,点击展开全部

检测对象:双极型晶体管

集电极-基极截止电流集电极-发射极截止电流共发射极正向电流传输比发射极-基极截止电流集电极-发射极饱和电压基极-发射极饱和电压集电极-基极击穿电压发射极-基极击穿电压集电极-发射极击穿电压结至环境的热阻/结至壳的热阻噪声系数S参数安全工作区
GB/T 6798-1996

半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理

13 项检测项目

检测项目:输入失调电压、输入偏置电流(同相)、输入偏置电流(反相)、输入失调电流、开环电压增益、共模抑制比、正电源电压抑制比、负电源电压抑制比 等 13 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路(运算放大器、电压比较器)

输入失调电压输入偏置电流(同相)输入偏置电流(反相)输入失调电流开环电压增益共模抑制比正电源电压抑制比负电源电压抑制比输出高电平电压输出低电平电压高电平输出电流低电平输出电流静态功耗
GB/T 4377-2018

半导体集成电路 电压调整器测试方法

11 项检测项目

检测项目:输出电压、电压调整率、电流调整率、耗散电流、电源纹波抑制比、输出电压温度系数、输出噪声电压、短路电流 等 11 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路(稳压器)

输出电压电压调整率电流调整率耗散电流电源纹波抑制比输出电压温度系数输出噪声电压短路电流基准电压热调整率最小输入输出电压差
GB/T 14028-2018

半导体集成电路模拟开关测试方法

10 项检测项目

检测项目:导通电阻、导通电阻路差、截止态漏极漏电流、截止态源极漏电流、导通态漏电流、开启时间、关断时间、通道转换时间 等 10 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路(模拟开关)

导通电阻导通电阻路差截止态漏极漏电流截止态源极漏电流导通态漏电流开启时间关断时间通道转换时间导通电阻路差率导通电阻温度漂移率

MIL-STD-750-1B:2022

半导体器件环境试验方法 第1部分:方法1000~1999 方法

9 项检测项目

检测项目:高温试验、耐湿、温度循环(空气-空气)、热冲击(液体-液体)、盐雾(盐汽)、低气压、稳态寿命、间歇寿命 等 9 项,点击展开全部

检测对象:电子元器件及设备(气候)

高温试验耐湿温度循环(空气-空气)热冲击(液体-液体)盐雾(盐汽)低气压

检测对象:电子元器件及设备(寿命及可靠性)

稳态寿命间歇寿命老炼试验

GB 12565-1990

半导体器件光电子器件分规范 表D

9 项检测项目

检测项目:发射极-集电极击穿电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、集电极-发射极截止电流、集电极-基极截止电流、电流传输比、正向电压 等 9 项,点击展开全部

检测对象:光耦合器

发射极-集电极击穿电压集电极-基极击穿电压发射极-基极击穿电压集电极-发射极饱和电压集电极-发射极截止电流集电极-基极截止电流电流传输比正向电压反向电流

GJB 923B-2021

半导体分立器件外壳通用规范 附录C

9 项检测项目

检测项目:绝缘电阻、引线电阻、引线间电容、电压驻波比、插入损耗、隔离度、物理尺寸、镀层厚度 等 9 项,点击展开全部

检测对象:半导体分立器件外壳

绝缘电阻引线电阻引线间电容电压驻波比插入损耗隔离度

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

物理尺寸镀层厚度镀层质量
GB/T 15651.3-2003

半导体分立器件和集成电路第5-3部分:光电子器件测试方法

8 项检测项目

检测项目:集电极-发射极饱和电压、集电极-发射极截止电流、电流传输比、发光强度Iv(平均LED强度)、峰值发射波长λP、光谱辐射带宽Δλ、半强度角θ1/2、角偏差

检测对象:光耦合器

集电极-发射极饱和电压集电极-发射极截止电流电流传输比

检测对象:发光二极管

发光强度Iv(平均LED强度)峰值发射波长λP光谱辐射带宽Δλ半强度角θ1/2角偏差

GJB 923A-2004

半导体分立器件外壳通用规范

8 项检测项目

检测项目:外形尺寸、镀层厚度、绝缘电阻、引线电阻、引线间电容、介质耐压、物理尺寸、镀层质量

检测对象:半导体分立器件外壳

外形尺寸镀层厚度绝缘电阻引线电阻引线间电容介质耐压

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

物理尺寸镀层厚度镀层质量

GB/T 14030-92

半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

8 项检测项目

检测项目:复位电压、复位电流、触发电压、触发电流、阈值电压、阈值电流、控制端电压、电源电流

检测对象:半导体集成电路(时基电路)

复位电压复位电流触发电压触发电流阈值电压阈值电流控制端电压电源电流
GB/T 20516-2006

半导体器件分立器件第4部分:微波器件 第II篇第1节

7 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流、1分贝增益压缩点输出功率、规定输入功率时的输出功率、1分贝增益压缩点的功率增益、功率附加效率、噪声系数

检测对象:二极管

正向电压反向电流

检测对象:场效应晶体管

1分贝增益压缩点输出功率规定输入功率时的输出功率1分贝增益压缩点的功率增益功率附加效率噪声系数

GJB 1420B-2011

半导体集成电路外壳通用规范

7 项检测项目

检测项目:外形尺寸、镀层厚度、绝缘电阻、引线电阻、引线间电容、物理尺寸、镀层质量

检测对象:半导体集成电路外壳

外形尺寸镀层厚度绝缘电阻引线电阻引线间电容

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

物理尺寸镀层厚度镀层质量

GB/T 18904.3-2002

半导体器件第12-3部分:光电子器件显示用发光二极管空白详细规范

6 项检测项目

检测项目:发光强度Iv(平均LED强度)、正向电压VF、反向电流IR、峰值发射波长λP、光谱辐射带宽Δλ、半强度角θ1/2

检测对象:发光二极管

发光强度Iv(平均LED强度)正向电压VF反向电流IR峰值发射波长λP光谱辐射带宽Δλ半强度角θ1/2
GB/T 6571-1995

半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第IV第1节

5 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流、电容、工作电压、微分电阻

检测对象:二极管

正向电压反向电流电容工作电压微分电阻

检测对象:光耦合器

正向电压反向电流
GB/T 29332-2012

半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

5 项检测项目

检测项目:集电极-发射极饱和电压、栅极-发射极阈值电压、集电极截止电流、栅极漏电流、结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗

检测对象:绝缘栅双极型晶体管

集电极-发射极饱和电压栅极-发射极阈值电压集电极截止电流栅极漏电流结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗
GB/T 20870.5-2023

半导体器件 第16-5部分:微波集成电路 振荡器

5 项检测项目

检测项目:频率范围、频率准确度、电调谐线性度、调频线性度、电调灵敏度、频谱纯度、输出功率﹑输出功率频响﹑增益、相位噪声

检测对象:微波元器件

频率范围、频率准确度电调谐线性度、调频线性度、电调灵敏度频谱纯度输出功率﹑输出功率频响﹑增益相位噪声
GB/T 4023-2015

半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管

4 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流、击穿电压、瞬态热阻抗

检测对象:二极管

正向电压反向电流击穿电压瞬态热阻抗
GB/T 4587-1994

半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 第IV第1节

4 项检测项目

检测项目:发射极-集电极击穿电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-基极截止电流

检测对象:光耦合器

发射极-集电极击穿电压集电极-基极击穿电压发射极-基极击穿电压集电极-基极截止电流

MIL-STD-750-2B:2022

半导体器件机械试验方法 第2部分:方法2001~2999 方法

3 项检测项目

检测项目:机械冲击、(电子元器件)恒定加速度、扫频振动

检测对象:电子元器件及设备(机械性能)

机械冲击(电子元器件)恒定加速度扫频振动

JESD 51-14:2010

具有单一散热路径的半导体器件结到壳热阻瞬态双界面测试法

3 项检测项目

检测项目:瞬态热阻抗、结至环境的热阻/结至壳的热阻、结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗

检测对象:二极管

瞬态热阻抗

检测对象:双极型晶体管

结至环境的热阻/结至壳的热阻

检测对象:场效应晶体管

结至环境的热阻/结至壳的热阻

检测对象:绝缘栅双极型晶体管

结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗

EIA/JESD 51-1:1995

集成电路热测量方法——电学测试法(单芯半导体器件)

3 项检测项目

检测项目:瞬态热阻抗、结至环境的热阻/结至壳的热阻、结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗

检测对象:二极管

瞬态热阻抗

检测对象:双极型晶体管

结至环境的热阻/结至壳的热阻

检测对象:场效应晶体管

结至环境的热阻/结至壳的热阻

检测对象:绝缘栅双极型晶体管

结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗

MIL-STD-750-3-2012

半导体器件的晶体管电气测试方法 第3部分:测试方法3000至3999 方法

3 项检测项目

检测项目:瞬态热阻抗、结至环境的热阻/结至壳的热阻、结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗

检测对象:二极管

瞬态热阻抗

检测对象:双极型晶体管

结至环境的热阻/结至壳的热阻

检测对象:场效应晶体管

结至环境的热阻/结至壳的热阻

检测对象:绝缘栅双极型晶体管

结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗
GB/T 15291-2015

半导体器件第6部分:晶闸管 第6部分

3 项检测项目

检测项目:通态电压、门极触发电流、门极触发电压

检测对象:闸流晶体管

通态电压门极触发电流门极触发电压

GJB 1420A-1999

半导体集成电路外壳通用规范

3 项检测项目

检测项目:绝缘电阻、引线电阻、引线间电容

检测对象:半导体集成电路外壳

绝缘电阻引线电阻引线间电容

MIL-STD-750-2B-2022

半导体分立器件试验方法 方法

3 项检测项目

检测项目:引出端强度、键合强度、芯片剪切强度

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

引出端强度键合强度芯片剪切强度

GJB128A-97

半导体分立器件试验方法 方法

2 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流

检测对象:二极管

正向电压反向电流
GB/T 4937.4-2012

半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)

1 项检测项目

检测项目:稳态湿热

检测对象:电子元器件及设备(气候)

稳态湿热

GB/T 4937.11-2018

半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分:快速温度变化 双液槽法

1 项检测项目

检测项目:热冲击(液体-液体)

检测对象:电子元器件及设备(气候)

热冲击(液体-液体)
GB/T 4937.13-2018

半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾

1 项检测项目

检测项目:盐雾(盐汽)

检测对象:电子元器件及设备(气候)

盐雾(盐汽)
GB/T 4937.2-2006

半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压

1 项检测项目

检测项目:低气压

检测对象:电子元器件及设备(气候)

低气压

检测对象:电子元器件

低气压

SJ 21632-2021

半导体微波器件耐氢能力试验方法

1 项检测项目

检测项目:耐氢试验

检测对象:电子元器件及设备(气候)

耐氢试验
GB/T 4937.12-2018

半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动

1 项检测项目

检测项目:扫频振动

检测对象:电子元器件及设备(机械性能)

扫频振动

MIL-STD-750-F-2012

半导体器件试验方法 方法

1 项检测项目

检测项目:正向电压

检测对象:二极管

正向电压

IEC 60747-2:2016

半导体器件第2部分:分立器件 整流二极管

1 项检测项目

检测项目:正向电压

检测对象:二极管

正向电压
GB/T 4937.26-2023

半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试人体模型(HBM)

1 项检测项目

检测项目:静电放电敏感度分级 人体放电模型(HBM)

检测对象:电子产品(静电敏感)

静电放电敏感度分级 人体放电模型(HBM)

IEC 60749-27(Ed 2.1 2012-09)

半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分:静电放电敏感度试验-机械模式(MM)

1 项检测项目

检测项目:静电放电敏感度分级 机械模型(MM)

检测对象:电子产品(静电敏感)

静电放电敏感度分级 机械模型(MM)
GB/T 4937.27-2023

半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试-机器模型(MM)

1 项检测项目

检测项目:静电放电敏感度分级 机械模型(MM)

检测对象:电子产品(静电敏感)

静电放电敏感度分级 机械模型(MM)
GB/T 20870.2-2023

半导体器件 第16-2部分:微波集成电路 预分频器

1 项检测项目

检测项目:输出功率﹑输出功率频响﹑增益

检测对象:微波元器件

输出功率﹑输出功率频响﹑增益

QJ 3044-98

半导体集成电路 模/数转换器和数/模转换器测试方法

1 项检测项目

检测项目:电源电流

检测对象:半导体集成电路(模/数转换器和数/模转换器)

电源电流

SJ 20642-1997

半导体光电模块总规范

1 项检测项目

检测项目:外部目检

检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)

外部目检

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

外部目检

GJB 5914-2006

各种质量等级军用半导体器件破坏性物理分析方法

1 项检测项目

检测项目:外部目检

检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)

外部目检

GB/T4937.14-2018

半导体器件机械和气候试验方法 第14部分:引出端强度

1 项检测项目

检测项目:引出端强度

检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)

引出端强度

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

引出端强度

GB/T4937.21-2018

半导体器件机械和气候试验方法 第21部分:可焊性

1 项检测项目

检测项目:可焊性

检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)

可焊性

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

可焊性
GB/T4937.3-2012

半导体器件机械和气候试验方法 第3部分:外部目检

1 项检测项目

检测项目:外部目检

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

外部目检

JESD22-B118A-2021

半导体晶圆及芯片背面外部目检

1 项检测项目

检测项目:外部目检

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

外部目检

GB/T4937.22-2018

半导体器件机械和气候试验方法 第22部分:键合强度

1 项检测项目

检测项目:键合强度

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

键合强度

GB/T4937.19-2018

半导体器件机械和气候试验方法 第19部分:芯片剪切强度

1 项检测项目

检测项目:芯片剪切强度

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

芯片剪切强度

JESD22-B108B:2010

表面安装半导体器件的共面性试验

1 项检测项目

检测项目:球栅阵列(BGA)试验方法

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

球栅阵列(BGA)试验方法

GJB 1420A-99

半导体集成电路外壳通用规范 附录A

1 项检测项目

检测项目:镀层质量

检测对象:电子元器件及设备(物理性能)

镀层质量

SJ 20961-2006

集成电路 A/D和D/A转换器测试方法的基本原理

21 项检测项目

检测项目:零点误差、零点误差温度系数、失调误差、失调误差温度系数、增益误差、增益误差温度系数、线性误差、线性误差温度系数 等 21 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路(模/数转换器和数/模转换器)

零点误差零点误差温度系数失调误差失调误差温度系数增益误差增益误差温度系数线性误差线性误差温度系数微分线性误差微分线性误差温度系数基准电压数字输出高电平电压数字输出低电平电压数字输入高电平电压数字输入低电平电压数字输入高电平电流数字输入低电平电流建立时间转换时间电源电压灵敏度功耗

GJB 548B-2005

微电子器件试验方法和程序 方法

14 项检测项目

检测项目:绝缘电阻、外部检查、电参数测试、非功能测试、X射线照相、外壳清洗、颗粒碰撞噪声检测、密封性试验 等 14 项,点击展开全部

检测对象:半导体分立器件外壳

绝缘电阻

检测对象:半导体集成电路外壳

绝缘电阻

检测对象:半导体集成电路(失效分析)

外部检查电参数测试非功能测试X射线照相外壳清洗颗粒碰撞噪声检测密封性试验内部检查和清洗真空烘焙多头探针测试键合强度测试红外扫描热像检测壳内气氛分析
GJB 9388-2018

集成电路 模拟数字、数字模拟转换器测试方法

14 项检测项目

检测项目:失调误差、失调误差温度系数、增益误差、增益误差温度系数、满度误差、满度误差温度系数、微分非线性、微分非线性温度系数 等 14 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路(模/数转换器和数/模转换器)

失调误差失调误差温度系数增益误差增益误差温度系数满度误差满度误差温度系数微分非线性微分非线性温度系数积分非线性积分非线性温度系数模拟输入电流电源电流功耗直流电源抑制比

GJB 548A-1996

微电子器件试验方法和程序 方法

13 项检测项目

检测项目:外部检查、电参数测试、非功能测试、X射线照相、外壳清洗、颗粒碰撞噪声检测、密封性试验、内部检查和清洗 等 13 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路(失效分析)

外部检查电参数测试非功能测试X射线照相外壳清洗颗粒碰撞噪声检测密封性试验内部检查和清洗真空烘焙多头探针测试键合强度测试红外扫描热像检测壳内气氛分析

SJ 20129-1992

金属镀覆层厚度测量方法 方法

1 项检测项目

检测项目:镀层厚度

检测对象:半导体分立器件外壳

镀层厚度

检测对象:半导体集成电路外壳

镀层厚度

GJB 548C-2021

微电子器件试验方法和程序 方法

1 项检测项目

检测项目:绝缘电阻

检测对象:半导体分立器件外壳

绝缘电阻

检测对象:半导体集成电路外壳

绝缘电阻

GB/T 16526-1996

封装引线间电容和引线负载电容测试方法

1 项检测项目

检测项目:引线间电容

检测对象:半导体分立器件外壳

引线间电容

检测对象:半导体集成电路外壳

引线间电容

机构信息

机构名称

河北北芯半导体科技有限公司

所在地区

河北省 · 石家庄市

企业地址

河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号

联系电话

0311-83933625

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