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2026-05-12
按“导体”筛选,展示 500 条相关能力(共 598 条,已先展示前 500 条)(含该机构旗下分支机构)。
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GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目:耐湿、粒子碰撞噪声检测、密封、X射线照相检验、高温试验、温度循环(空气-空气)、热冲击(液体-液体)、盐雾(盐汽) 等 31 项,点击展开全部
检测对象:电子元器件
检测对象:电子元器件(物理性能)
检测对象:电子元器件及设备(气候)
检测对象:电子元器件及设备(寿命及可靠性)
检测对象:电子元器件及设备(机械性能)
检测对象:二极管
检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
GJB 128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目:耐湿、粒子碰撞噪声检测、密封、X射线照相检验、高温试验、温度循环(空气-空气)、热冲击(液体-液体)、盐雾(盐汽) 等 30 项,点击展开全部
检测对象:电子元器件
检测对象:电子元器件(物理性能)
检测对象:电子元器件及设备(气候)
检测对象:电子元器件及设备(寿命及可靠性)
检测对象:电子元器件及设备(机械性能)
检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
半导体分立器件失效分析方法和程序 方法
检测项目:芯片粘接的超声检测、制样镜检、外观检查、电性能测试、烘焙或真空烘焙、清洗、间歇工作检查、密封检漏 等 21 项,点击展开全部
检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)
检测对象:半导体分立器件(失效分析)
SJ/T 11394-2009
半导体发光二极管测试方法
检测项目:静电放电敏感度分级 人体放电模型(HBM)、静电放电敏感度分级 机械模型(MM)、发光强度Iv(平均LED强度)、正向电压VF、反向电流IR、峰值发射波长λP、光谱辐射带宽Δλ、半强度角θ1/2 等 20 项,点击展开全部
检测对象:电子产品(静电敏感)
检测对象:发光二极管
半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 第IV篇第2节
检测项目:输入失调电压、输入偏置电流(同相)、输入偏置电流(反相)、输入失调电流、开环电压放大倍数、共模抑制比、正电源电压抑制比、负电源电压抑制比 等 18 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路(运算放大器、电压比较器)
检测对象:半导体集成电路(稳压器)
检测对象:半导体集成电路(模拟开关)
半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第IV篇第3节
检测项目:延迟时间、输出高电平电压、输出低电平电压、输入高电平电流、输入低电平电流、输出高电平时电源电流、输出低电平时电源电流、输出短路电流 等 17 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路(数字集成电路)
检测对象:半导体集成电路(时基电路)
半导体集成电路失效分析程序和方法
检测项目:扫描电子显微镜检查、制样镜检、外部检查、电参数测试、非功能测试、X射线照相、外壳清洗、试验分析 等 17 项,点击展开全部
检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)
检测对象:半导体集成电路(失效分析)
半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 第IV
检测项目:源极开路时,栅极截止电流、漏-源短路时,栅极截止电流、漏极开路时,栅极截止电流、栅-源截止电压、栅-源阈值电压、漏-源电压、栅-源短路时的漏极电流、漏极电流 等 15 项,点击展开全部
检测对象:场效应晶体管
半导体集成电路运算放大器测试方法
检测项目:输入失调电压、输入偏置电流(同相)、输入偏置电流(反相)、输入失调电流、开环电压放大倍数、共模抑制比、正电源电压抑制比、负电源电压抑制比 等 14 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路(运算放大器、电压比较器)
半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管
检测项目:集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流、共发射极正向电流传输比、发射极-基极截止电流、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压 等 13 项,点击展开全部
检测对象:双极型晶体管
半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理
检测项目:输入失调电压、输入偏置电流(同相)、输入偏置电流(反相)、输入失调电流、开环电压增益、共模抑制比、正电源电压抑制比、负电源电压抑制比 等 13 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路(运算放大器、电压比较器)
半导体集成电路 电压调整器测试方法
检测项目:输出电压、电压调整率、电流调整率、耗散电流、电源纹波抑制比、输出电压温度系数、输出噪声电压、短路电流 等 11 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路(稳压器)
半导体集成电路模拟开关测试方法
检测项目:导通电阻、导通电阻路差、截止态漏极漏电流、截止态源极漏电流、导通态漏电流、开启时间、关断时间、通道转换时间 等 10 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路(模拟开关)
MIL-STD-750-1B:2022
半导体器件环境试验方法 第1部分:方法1000~1999 方法
检测项目:高温试验、耐湿、温度循环(空气-空气)、热冲击(液体-液体)、盐雾(盐汽)、低气压、稳态寿命、间歇寿命 等 9 项,点击展开全部
检测对象:电子元器件及设备(气候)
检测对象:电子元器件及设备(寿命及可靠性)
GB 12565-1990
半导体器件光电子器件分规范 表D
检测项目:发射极-集电极击穿电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、集电极-发射极截止电流、集电极-基极截止电流、电流传输比、正向电压 等 9 项,点击展开全部
检测对象:光耦合器
GJB 923B-2021
半导体分立器件外壳通用规范 附录C
检测项目:绝缘电阻、引线电阻、引线间电容、电压驻波比、插入损耗、隔离度、物理尺寸、镀层厚度 等 9 项,点击展开全部
检测对象:半导体分立器件外壳
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
半导体分立器件和集成电路第5-3部分:光电子器件测试方法
检测项目:集电极-发射极饱和电压、集电极-发射极截止电流、电流传输比、发光强度Iv(平均LED强度)、峰值发射波长λP、光谱辐射带宽Δλ、半强度角θ1/2、角偏差
检测对象:光耦合器
检测对象:发光二极管
GJB 923A-2004
半导体分立器件外壳通用规范
检测项目:外形尺寸、镀层厚度、绝缘电阻、引线电阻、引线间电容、介质耐压、物理尺寸、镀层质量
检测对象:半导体分立器件外壳
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
GB/T 14030-92
半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项目:复位电压、复位电流、触发电压、触发电流、阈值电压、阈值电流、控制端电压、电源电流
检测对象:半导体集成电路(时基电路)
半导体器件分立器件第4部分:微波器件 第II篇第1节
检测项目:正向电压、反向电流、1分贝增益压缩点输出功率、规定输入功率时的输出功率、1分贝增益压缩点的功率增益、功率附加效率、噪声系数
检测对象:二极管
检测对象:场效应晶体管
GJB 1420B-2011
半导体集成电路外壳通用规范
检测项目:外形尺寸、镀层厚度、绝缘电阻、引线电阻、引线间电容、物理尺寸、镀层质量
检测对象:半导体集成电路外壳
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
GB/T 18904.3-2002
半导体器件第12-3部分:光电子器件显示用发光二极管空白详细规范
检测项目:发光强度Iv(平均LED强度)、正向电压VF、反向电流IR、峰值发射波长λP、光谱辐射带宽Δλ、半强度角θ1/2
检测对象:发光二极管
半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第IV第1节
检测项目:正向电压、反向电流、电容、工作电压、微分电阻
检测对象:二极管
检测对象:光耦合器
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:集电极-发射极饱和电压、栅极-发射极阈值电压、集电极截止电流、栅极漏电流、结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗
检测对象:绝缘栅双极型晶体管
半导体器件 第16-5部分:微波集成电路 振荡器
检测项目:频率范围、频率准确度、电调谐线性度、调频线性度、电调灵敏度、频谱纯度、输出功率﹑输出功率频响﹑增益、相位噪声
检测对象:微波元器件
半导体器件分立器件和集成电路第2部分:整流二极管
检测项目:正向电压、反向电流、击穿电压、瞬态热阻抗
检测对象:二极管
半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 第IV第1节
检测项目:发射极-集电极击穿电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-基极截止电流
检测对象:光耦合器
MIL-STD-750-2B:2022
半导体器件机械试验方法 第2部分:方法2001~2999 方法
检测项目:机械冲击、(电子元器件)恒定加速度、扫频振动
检测对象:电子元器件及设备(机械性能)
JESD 51-14:2010
具有单一散热路径的半导体器件结到壳热阻瞬态双界面测试法
检测项目:瞬态热阻抗、结至环境的热阻/结至壳的热阻、结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗
检测对象:二极管
检测对象:双极型晶体管
检测对象:场效应晶体管
检测对象:绝缘栅双极型晶体管
EIA/JESD 51-1:1995
集成电路热测量方法——电学测试法(单芯半导体器件)
检测项目:瞬态热阻抗、结至环境的热阻/结至壳的热阻、结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗
检测对象:二极管
检测对象:双极型晶体管
检测对象:场效应晶体管
检测对象:绝缘栅双极型晶体管
MIL-STD-750-3-2012
半导体器件的晶体管电气测试方法 第3部分:测试方法3000至3999 方法
检测项目:瞬态热阻抗、结至环境的热阻/结至壳的热阻、结到壳热阻/结到壳瞬态热阻抗
检测对象:二极管
检测对象:双极型晶体管
检测对象:场效应晶体管
检测对象:绝缘栅双极型晶体管
半导体器件第6部分:晶闸管 第6部分
检测项目:通态电压、门极触发电流、门极触发电压
检测对象:闸流晶体管
GJB 1420A-1999
半导体集成电路外壳通用规范
检测项目:绝缘电阻、引线电阻、引线间电容
检测对象:半导体集成电路外壳
MIL-STD-750-2B-2022
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目:引出端强度、键合强度、芯片剪切强度
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
GJB128A-97
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目:正向电压、反向电流
检测对象:二极管
半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST)
检测项目:稳态湿热
检测对象:电子元器件及设备(气候)
GB/T 4937.11-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第11部分:快速温度变化 双液槽法
检测项目:热冲击(液体-液体)
检测对象:电子元器件及设备(气候)
半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分:盐雾
检测项目:盐雾(盐汽)
检测对象:电子元器件及设备(气候)
半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压
检测项目:低气压
检测对象:电子元器件及设备(气候)
检测对象:电子元器件
SJ 21632-2021
半导体微波器件耐氢能力试验方法
检测项目:耐氢试验
检测对象:电子元器件及设备(气候)
半导体器件 机械和气候试验方法 第12部分:扫频振动
检测项目:扫频振动
检测对象:电子元器件及设备(机械性能)
MIL-STD-750-F-2012
半导体器件试验方法 方法
检测项目:正向电压
检测对象:二极管
IEC 60747-2:2016
半导体器件第2部分:分立器件 整流二极管
检测项目:正向电压
检测对象:二极管
半导体器件 机械和气候试验方法 第26部分:静电放电(ESD)敏感度测试人体模型(HBM)
检测项目:静电放电敏感度分级 人体放电模型(HBM)
检测对象:电子产品(静电敏感)
IEC 60749-27(Ed 2.1 2012-09)
半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分:静电放电敏感度试验-机械模式(MM)
检测项目:静电放电敏感度分级 机械模型(MM)
检测对象:电子产品(静电敏感)
半导体器件 机械和气候试验方法 第27部分:静电放电(ESD)敏感度测试-机器模型(MM)
检测项目:静电放电敏感度分级 机械模型(MM)
检测对象:电子产品(静电敏感)
半导体器件 第16-2部分:微波集成电路 预分频器
检测项目:输出功率﹑输出功率频响﹑增益
检测对象:微波元器件
QJ 3044-98
半导体集成电路 模/数转换器和数/模转换器测试方法
检测项目:电源电流
检测对象:半导体集成电路(模/数转换器和数/模转换器)
SJ 20642-1997
半导体光电模块总规范
检测项目:外部目检
检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
GJB 5914-2006
各种质量等级军用半导体器件破坏性物理分析方法
检测项目:外部目检
检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)
GB/T4937.14-2018
半导体器件机械和气候试验方法 第14部分:引出端强度
检测项目:引出端强度
检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
GB/T4937.21-2018
半导体器件机械和气候试验方法 第21部分:可焊性
检测项目:可焊性
检测对象:通用电子元器件(破坏性物理分析)
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
半导体器件机械和气候试验方法 第3部分:外部目检
检测项目:外部目检
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
JESD22-B118A-2021
半导体晶圆及芯片背面外部目检
检测项目:外部目检
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
GB/T4937.22-2018
半导体器件机械和气候试验方法 第22部分:键合强度
检测项目:键合强度
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
GB/T4937.19-2018
半导体器件机械和气候试验方法 第19部分:芯片剪切强度
检测项目:芯片剪切强度
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
JESD22-B108B:2010
表面安装半导体器件的共面性试验
检测项目:球栅阵列(BGA)试验方法
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
GJB 1420A-99
半导体集成电路外壳通用规范 附录A
检测项目:镀层质量
检测对象:电子元器件及设备(物理性能)
SJ 20961-2006
集成电路 A/D和D/A转换器测试方法的基本原理
检测项目:零点误差、零点误差温度系数、失调误差、失调误差温度系数、增益误差、增益误差温度系数、线性误差、线性误差温度系数 等 21 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路(模/数转换器和数/模转换器)
GJB 548B-2005
微电子器件试验方法和程序 方法
检测项目:绝缘电阻、外部检查、电参数测试、非功能测试、X射线照相、外壳清洗、颗粒碰撞噪声检测、密封性试验 等 14 项,点击展开全部
检测对象:半导体分立器件外壳
检测对象:半导体集成电路外壳
检测对象:半导体集成电路(失效分析)
集成电路 模拟数字、数字模拟转换器测试方法
检测项目:失调误差、失调误差温度系数、增益误差、增益误差温度系数、满度误差、满度误差温度系数、微分非线性、微分非线性温度系数 等 14 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路(模/数转换器和数/模转换器)
GJB 548A-1996
微电子器件试验方法和程序 方法
检测项目:外部检查、电参数测试、非功能测试、X射线照相、外壳清洗、颗粒碰撞噪声检测、密封性试验、内部检查和清洗 等 13 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路(失效分析)
SJ 20129-1992
金属镀覆层厚度测量方法 方法
检测项目:镀层厚度
检测对象:半导体分立器件外壳
检测对象:半导体集成电路外壳
GJB 548C-2021
微电子器件试验方法和程序 方法
检测项目:绝缘电阻
检测对象:半导体分立器件外壳
检测对象:半导体集成电路外壳
GB/T 16526-1996
封装引线间电容和引线负载电容测试方法
检测项目:引线间电容
检测对象:半导体分立器件外壳
检测对象:半导体集成电路外壳