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数据更新时间
2026-05-12
按“DS”筛选，展示 5 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 4 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 Ⅳ
检测项目：漏极截止电流I<Sub>DSS</Sub>、静态漏-源通态电阻R<Sub>DS(on)</Sub>
检测对象：场效应晶体管
半导体集成电路模拟开关测试方法
检测项目：导通态漏电流I<Sub>DS</Sub><Sub>（</Sub><Sub>on</Sub><Sub>）</Sub>
检测对象：模拟开关
QJ 2289-92
固体继电器测试方法
检测项目：接通电阻R<Sub>DS</Sub>
检测对象：固体继电器
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：漏-源击穿电压V<Sub>(BR)DSS</Sub>
检测对象：场效应晶体管