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2026-05-12
按“U”筛选，展示 165 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
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半导体集成电路第2部分：数字集成电路 IV.
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、输出高阻态时高电平电流I<Sub>OZH</Sub>、输出低阻态时低电平电流I<Sub>OZL</Sub>、工作状态时电源电流I<Sub>CC</Sub>、维持状态时电源电流I<Sub>CCS</Sub> 等 22 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路MOS随机存储器
检测对象：半导体集成电路TTL电路
检测对象：半导体集成电路CMOS电路
SJ 20961-2006
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理
检测项目：数字输出高电平电压 V<Sub>oH</Sub>、数字输出低电平电压 V<Sub>oL</Sub>、零点误差 E<Sub>Z</Sub>、增益误差 E<Sub>G</Sub>、线性误差 E<Sub>L</Sub>、微分线性误差E<Sub>DL</Sub>、数字输入高电平电压 V<Sub>IH</Sub>、数字输入低电平电压 V<Sub>IL</Sub> 等 16 项，点击展开全部
检测对象：A/D转换器
检测对象：D/A转换器
SJ 20294-1993
半导体集成电路JW 1524、JW1525、JW1525A、JW1526、JW1527、JW1527A型脉宽调制器详细规范
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、环路增益A<Sub>vo</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、基准电压输出V<Sub>REF</Sub>、输出低电平V<Sub>OL</Sub>、输出高电平V<Sub>OH</Sub> 等 14 项，点击展开全部
检测对象：PWM脉宽调制电路
SJ 20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项目：输出电压V<Sub>O</Sub>、输出电流I<Sub>O</Sub>、输出纹波电压V<Sub>RIP</Sub>、电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>、输入电流I<Sub>I</Sub>、启动过冲V<Sub>T0</Sub>、启动延迟时间t<Sub>TR</Sub> 等 12 项，点击展开全部
检测对象：DC/DC模块
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CER</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEX</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CES</Sub>、发射极-基极截止电流I<Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub> 等 12 项，点击展开全部
检测对象：晶体管
检测对象：场效应晶体管
QJ 2491-93
半导体集成电路运算放大器测试方法
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、开环电压增益A<Sub>VD</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比 K<Sub>SVR</Sub>、最大输出电压V<Sub>OPP</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路运算放大器
半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项目：阈值电压V<Sub>T</Sub>、阈值电流I<Sub>T</Sub>、控制端电压V<Sub>C</Sub>、静态电源电流I<Sub>+</Sub>、复位电压V<Sub>R</Sub>、复位触发电流I<Sub>R</Sub>、触发电压V<Sub>TR</Sub>、触发电流I<Sub>TR</Sub>
检测对象：半导体集成电路时基电路
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、开环电压增益A<Sub>VD</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>
检测对象：半导体集成电路电压比较器
半导体集成电路模拟开关测试方法
检测项目：导通电阻R<Sub>on</Sub>、导通电阻路差△R<Sub>on</Sub>、截止态漏极漏电流I<Sub>D</Sub><Sub>（</Sub><Sub>off</Sub><Sub>）</Sub>、截止态源极漏电流I<Sub>S</Sub><Sub>（</Sub><Sub>off</Sub><Sub>）</Sub>、导通态漏电流I<Sub>DS</Sub><Sub>（</Sub><Sub>on</Sub><Sub>）</Sub>、开启时间t<Sub>on</Sub>、关断时间t<Sub>off</Sub>
检测对象：模拟开关
QJ 2289-92
固体继电器测试方法
检测项目：接通电压V<Sub>FD</Sub>、关断电压V<Sub>FF</Sub>、输出电压降V<Sub>Tµ</Sub>、接通电阻R<Sub>DS</Sub>、输出漏电流I<Sub>D</Sub>、接通时间T<Sub>FD</Sub>、关断时间T<Sub>FF</Sub>
检测对象：固体继电器
半导体集成电路电压调整器测试方法
检测项目：电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>、消耗电流I<Sub>D</Sub>和耗散电流变化△I<Sub>D</Sub>、基准电压V<Sub>REF</Sub>、输出电压V<Sub>O</Sub>和输出电压偏差△V<Sub>O</Sub>
检测对象：半导体集成电路电压调整器
半导体集成电路模拟乘法器测试方法的基本原理
检测项目：共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、转换速率S<Sub>R</Sub>、建立时间t<Sub>set</Sub>、线形误差E<Sub>L</Sub>（E<Sub>LX</Sub>,E<Sub>LY</Sub>）、标度因子误差E<Sub>K</Sub>
检测对象：模拟乘法器
半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节
检测项目：反向电流I<Sub>R</Sub>、正向电压V<Sub>F</Sub>、工作电压V<Sub>z</Sub>、微分电阻r<Sub>z</Sub>、源-漏二极管正向压降V<Sub>SD</Sub>
检测对象：二极管
检测对象：场效应晶体管
SJ/T 10741-2000
半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
检测项目：输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>、输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>、输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>、输出低电平电流I<Sub>OL</Sub>
检测对象：半导体集成电路CMOS电路
半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 Ⅳ
检测项目：栅极截止电流I<Sub>GSS</Sub>、漏极截止电流I<Sub>DSS</Sub>、栅-源阈值电压V<Sub>GS(th)</Sub>、静态漏-源通态电阻R<Sub>DS(on)</Sub>
检测对象：场效应晶体管
集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法
检测项目：电源电流 I<Sub>cc</Sub>、电源电流I<Sub>cc</Sub>、失调误差E<Sub>O</Sub>
检测对象：A/D转换器
检测对象：D/A转换器
半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理
检测项目：增益误差E<Sub>G</Sub>、采样-保持失调电压V<Sub>OO（S-H）</Sub>
检测对象：半导体集成电路采样/保持放大器
SJ 50597/54-2002
半导体集成电路JW431精密可调电压基准源详细规范 3.4/
检测项目：输出电压V<Sub>out</Sub>、功率P<Sub>w</Sub>
检测对象：电压基准
半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件 Ⅳ
检测项目：电流传输比h<Sub>F(ctr)</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CE(sat)</Sub>
检测对象：光电耦合器
SJ 50597/57-2003
半导体集成电路JW584 /JW584A可编程电压基准详细规范 3.4/
检测项目：电源电流I<Sub>cc</Sub>
检测对象：电压基准
GB/T 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub>
检测对象：晶体管