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2026-05-12
按“U”筛选，展示 205 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 27 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
GA/T 987-2012
信息安全技术 USB移动存储介质管理系统安全技术要求
检测项目：介质注册、介质授权、介质分区、介质分组、介质注销、主机注册、主机分组、主机注销 等 33 项，点击展开全部
检测对象：USB接口移动介质安全管理产品
ISO 13766-1:2018
Earth-moving building construction machinery-Electromagnetic compatibility(EMC) of machines with intrenal electrical power supply-part1: General EMC requirements under typical electromagnetic environmental conditions 4.5,
检测项目：零部件/模块的辐射发射、电磁辐射抗扰性-大电流法/线束激励法、电磁辐射抗扰性-自由场法/吸波屏蔽外壳、静电放电
检测对象：汽车电子/电气零部件
系统与软件工程 系统与软件质量要求和评价（SQuaRE）第51部分：就绪可用软件产品（RUSP）的质量要求和测试细则
检测项目：数据加密、电源隔离、鉴别数据保护
检测对象：光盘摆渡产品
ISO 13766-2:2018
Earth-moving and building construction machinery -- Electromagnetic compatibility (EMC) of machines with internal electrical power supply -- Part 2: Additional EMC requirements for functional safety
检测项目：电磁辐射抗扰性-大电流法/线束激励法、电磁辐射抗扰性-自由场法/吸波屏蔽外壳、静电放电
检测对象：汽车电子/电气零部件
GB/T 17574-1998 Chapter Ⅳ Quarter Ⅱ
半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 GB/T 17574-1998 第Ⅳ篇第Ⅱ节
检测项目：静态条件下的电源电流I<Sub>CC</Sub>
检测对象：存储器
SJ 20294-1993
半导体集成电路JW1524、1525、1525A、1526、1527、1527A型脉宽调制器详细规范
检测项目：输出电压(基准部分)V<Sub>REF</Sub>、电压调整率(基准部分)S<Sub>V</Sub>、电流调整率(基准部分)S<Sub>I</Sub>、极限短路电流(基准部分)I<Sub>OS</Sub>、振荡频率(振荡器部分)f<Sub>OSC</Sub>、频率随电压稳定度(振荡器)S<Sub>f</Sub>、输出脉冲宽度(振荡器部分)t<Sub>W</Sub>、同步输入电流(振荡器部分)I<Sub>SYNC</Sub> 等 29 项，点击展开全部
检测对象：(JW1524、1525、1525A、1526、1527、1527A)脉宽调制器
SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、电流传输比h<sub>F</sub>、隔离电容C<Sub>IO</Sub>、隔离电阻R<Sub>IO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<sub>CE</sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极击穿电压V<sub>CEO</sub> 等 12 项，点击展开全部
检测对象：光电耦合器
半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路 第Ⅳ篇第Ⅱ节
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>、输出短路电流I<Sub>OS</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZ</Sub>、静态条件下的电源电流I<Sub>CC</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub> 等 11 项，点击展开全部
检测对象：时基电路
检测对象：TTL电路
检测对象：CMOS电路
检测对象：存储器
GB/T 42839-2023
半导体集成电路模拟数字（AD）转换器
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、模拟输入电流I<Sub>I</Sub>、电源电流I<Sub>cc</Sub>、功耗P<Sub>D</Sub>、增益误差E<Sub>G</Sub>、失调误差E<Sub>O</Sub>、微分非线性误差D<Sub>NL</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：A/D 转换器
SJ/T 10805-2018
半导体集成电路电压比较器测试方法
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、开环电压增益A<Sub>VD</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：电压比较器
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
检测项目：集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流I<Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub>、共发射极正向电流传输比h<Sub>21E</Sub>、集电极-基极击穿电压V<sub>CBO</sub>、发射极-基极击穿电压V<sub>EBO</sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：双极型晶体管
半导体器件 集成电路第3部分：模拟集成电路 第Ⅳ篇第Ⅱ节
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、电源电流I<Sub>CC</Sub>、开环电压增益<I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出电压范围V<Sub>OPP</Sub>
检测对象：运算放大器
半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项目：复位电压V<Sub>R</Sub>、复位电流I<Sub>R</Sub>、触发电压V<Sub>TR</Sub>、触发电流I<Sub>TR</Sub>、阈值电流I<Sub>T</Sub>、控制端电压V<Sub>C</Sub>、静态电源电流I<Sub>D</Sub>
检测对象：时基电路
GB/T 42973-2023
半导体集成电路数字模拟（DA）转换器
检测项目：电源电流I<Sub>cc</Sub>、功耗P<Sub>D</Sub>、失调误差E<Sub>O</Sub>、双极零点误差E<Sub>BZ</Sub>、增益误差E<Sub>G</Sub>、微分非线性误差D<Sub>NL</Sub>、积分非线性误差I<Sub>NL</Sub>
检测对象：D/A转换器
半导体集成电路电压调整器测试方法
检测项目：基准电压V<Sub>REF</Sub>、电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>、电源纹波抑制比S<Sub>rip</Sub>、短路电流I<Sub>OS</Sub>、最小输入输出电压差V<Sub>DROP</Sub>
检测对象：电压调整器(三端稳压器)
半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管 第IV章
检测项目：栅源极截止（漏泄）电流I<Sub>GSS</Sub>、漏源极截止电流I<Sub>DSS</Sub>、栅-源截止电压V<Sub>GSoff</Sub>、栅-源阈值电压V<Sub>GS</Sub>、正向跨导g<Sub>fs</Sub>、静态漏-源通态电阻r<Sub>DS</Sub>
检测对象：场效应晶体管
半导体集成电路电平转换器测试方法
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、静态电流I<Sub>CC</Sub>
检测对象：电平转换器
SJ/T 11706-2018
半导体集成电路现场可编程门阵列测试方法
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>
检测对象：现场可编程门阵列
GB/T 14114-1993
半导体集成电路电压/频率和频率/电压转换器测试方法的基本原理 4.1,
检测项目：失调误差E<Sub>O</Sub>、增益误差E<Sub>G</Sub>、线性误差E<Sub>L</Sub>、静态电源电流I<Sub>D</Sub>
检测对象：V/F、F/V转换器
半导体集成电路采样/保持放大器测试方法的基本原理
检测项目：增益误差E<Sub>G</Sub>、跌落电流I<Sub>DR</Sub>、采样-保持失调电压V<Sub>OS</Sub>
检测对象：采样保持放大器
SJ 20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项目：输出电压V<Sub>O</Sub>、电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>
检测对象：DC/DC电源变换器
GB/T 43041-2023
混合集成电路直流/直流（DC/DC）变换器
检测项目：输出电压V<Sub>O</Sub>、电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>
检测对象：DC/DC电源变换器
GB/T 43027-2023
高压电源变换器模块测试方法
检测项目：输出电压V<Sub>O</Sub>、电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>
检测对象：DC/DC电源变换器
半导体器件分立器件和集成电路第2部分： 整流二极管 第IV章第2节
检测项目：反向电流I<Sub>R</Sub>、正向电压V<Sub>F</Sub>、微分电阻r<Sub>Z</Sub>
检测对象：信号、调整和整流二极管
半导体器件分立器件和集成电路第2部分： 整流二极管
检测项目：反向电流I<Sub>R</Sub>、正向电压V<Sub>F</Sub>
检测对象：信号、调整和整流二极管
GJB 128A-1997
半导体分立器件试验方法
检测项目：集电极-发射极击穿电压V<Sub>CEO</Sub>、漏源击穿电压V<Sub>DSS</Sub>
检测对象：双极型晶体管
检测对象：场效应晶体管
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法
检测项目：集电极-发射极击穿电压V<Sub>CEO</Sub>、漏源击穿电压V<Sub>DSS</Sub>
检测对象：双极型晶体管
检测对象：场效应晶体管