数据更新时间
2026-05-12
按“电极”筛选，展示 20 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 5 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体器件 分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：集电极峰值电流I<Sub>CM</Sub>、最大集电极电流I<Sub>C</Sub>、集电极-发射极击穿电压V(BR)<Sub>CES</Sub>、集电极-发射极维持电压、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CE</Sub>(sat)
检测对象：半导体IGBT电路
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：集电极-基极击穿电压、集电极-发射极电压、集电极-发射极击穿电压V(BR)<Sub>CEO</Sub>、集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流
检测对象：半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)
半导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管
检测项目：集电极-发射极电压V<Sub>CEO</Sub>、集电极-基极反向击穿电压V(BR)<Sub>CBO</Sub>、集电极-基极反向截止电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>
检测对象：半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)
半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F
半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F
检测项目：集电极-基极电压V<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极电压V<Sub>CEO</Sub>、集电极-基极反向截止电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>
检测对象：半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
检测项目：集电极-发射极击穿电压V(BR)<Sub>CEO</Sub>
检测对象：半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)