数据更新时间
2026-05-12
按“DS”筛选，展示 4 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
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半导体分立器件和集成电路 第8部分：场效应功率晶体管 第Ⅳ章
检测项目：漏-源通态电阻R<Sub>DS</Sub>(on)、漏极截止电流I<Sub>DSS</Sub>
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：漏-源击穿电压V(BR)<Sub>DSS</Sub>
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
检测项目：漏-源击穿电压V(BR)<Sub>DSS</Sub>
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)