数据更新时间
2026-05-12
按“Fe”筛选，展示 26 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
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半导体分立器件和集成电路 第8部分：场效应功率晶体管 第Ⅳ章
检测项目：漏-源通态电阻R<Sub>DS</Sub>(on)、阈值电压V<Sub>GS</Sub>(th)、正向跨导g<sub>fs</sub>、漏极截止电流I<Sub>DSS</Sub>、栅极截止电流I<Sub>GSS</Sub>、结电容(C<Sub>iss</Sub>,C<Sub>oss</Sub>,C<Sub>rss</Sub>）、稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>，R<Sub>jc</Sub>、瞬态热阻R<Sub>th</Sub>
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F
半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F
检测项目：正向电流传输比h<Sub>FE</Sub>、正向跨导g<sub>fs</sub>、栅电荷(Qg,Qgs,Qgd)、稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>，R<Sub>jc</Sub>、开关时间、反向恢复时间和恢复电荷
检测对象：半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：正向电流传输比h<Sub>FE</Sub>、漏-源击穿电压V(BR)<Sub>DSS</Sub>、开关时间、二极管正向压降V<Sub>SD</Sub>、高温反偏试验、老炼试验
检测对象：半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
检测项目：漏-源击穿电压V(BR)<Sub>DSS</Sub>、开关时间
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管
检测项目：正向电流传输比h<Sub>FE</Sub>
检测对象：半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)
半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F 3431,
半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F 3431,
检测项目：结电容(C<Sub>iss</Sub>,C<Sub>oss</Sub>,C<Sub>rss</Sub>）
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法 JESD51-14-
半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法 JESD51-14-
检测项目：稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>，R<Sub>jc</Sub>
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章 第1节4.2.3,
检测项目：反向恢复时间t<Sub>rr</Sub>
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)