数据更新时间
2026-05-12
按“GB/T 29332-2012”筛选,展示 8 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。
按标准归类为 1 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。
半导体器件 分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:栅极漏电流I<Sub>GES</Sub>、栅电荷(Qg,Qgs,Qgd)、集电极峰值电流I<Sub>CM</Sub>、最大集电极电流I<Sub>C</Sub>、集电极-发射极击穿电压V(BR)<Sub>CES</Sub>、栅极-发射极阈值电压V<Sub>GE</Sub>(th)、集电极-发射极维持电压、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CE</Sub>(sat)
检测对象:半导体IGBT电路