数据更新时间
2026-05-12
按“GB/T 4586-1994”筛选,展示 9 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。
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半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管 第Ⅳ章
检测项目:正向跨导g<sub>fs</sub>、漏-源通态电阻R<Sub>DS</Sub>(on)、阈值电压V<Sub>GS</Sub>(th)、漏极截止电流I<Sub>DSS</Sub>、栅极截止电流I<Sub>GSS</Sub>、结电容(C<Sub>iss</Sub>,C<Sub>oss</Sub>,C<Sub>rss</Sub>)、稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>、瞬态热阻R<Sub>th</Sub>
检测对象:半导体IGBT电路
检测对象:半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)