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2026-05-12
按“U”筛选，展示 58 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 12 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体器件 分立器件 第7部分 双极型晶体管
检测项目：集电极-发射极电压V<Sub>CEO</Sub>、基极-发射极电压V<sub>BE</sub>、集电极-基极反向击穿电压V(BR)<Sub>CBO</Sub>、发射极-基极反向击穿电压V(BR)<Sub>EBO</Sub>、集电极-基极反向截止电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、发射极-基极反向截止电流I<Sub>EBO</Sub>、正向电流传输比h<Sub>FE</Sub> 等 10 项，点击展开全部
检测对象：半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)
半导体分立器件和集成电路 第8部分：场效应功率晶体管 第Ⅳ章
检测项目：正向跨导g<sub>fs</sub>、漏-源通态电阻R<Sub>DS</Sub>(on)、阈值电压V<Sub>GS</Sub>(th)、漏极截止电流I<Sub>DSS</Sub>、栅极截止电流I<Sub>GSS</Sub>、结电容(C<Sub>iss</Sub>,C<Sub>oss</Sub>,C<Sub>rss</Sub>）、稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>，R<Sub>jc</Sub>、瞬态热阻R<Sub>th</Sub>
检测对象：半导体IGBT电路
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体器件 第 第6部分 晶闸管
检测项目：通态峰值电压V<Sub>TM</Sub>、维持电流I<Sub>H</Sub>、门极触发直流电流I<Sub>GT</Sub>、门极触发直流电压V<Sub>GT</Sub>、反向峰值电流I<Sub>RRM</Sub>、断态峰值电流I<Sub>DRM</Sub>、擎住电流I<Sub>L</Sub>、通态斜率电阻R<Sub>t</Sub>
检测对象：半导体可控硅
半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F
半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F
检测项目：稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>，R<Sub>jc</Sub>、集电极-基极电压V<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极电压V<Sub>CEO</Sub>、集电极-基极反向截止电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、正向电流传输比h<Sub>FE</Sub>、正向跨导g<sub>fs</sub>
检测对象：半导体二极管（稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管）
检测对象：半导体IGBT电路
检测对象：半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体器件 分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：栅极漏电流I<Sub>GES</Sub>、集电极峰值电流I<Sub>CM</Sub>、最大集电极电流I<Sub>C</Sub>、集电极-发射极击穿电压V(BR)<Sub>CES</Sub>、栅极-发射极阈值电压V<Sub>GE</Sub>(th)、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CE</Sub>(sat)
检测对象：半导体IGBT电路
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：集电极-发射极击穿电压V(BR)<Sub>CEO</Sub>、正向电流传输比h<Sub>FE</Sub>、漏-源击穿电压V(BR)<Sub>DSS</Sub>、二极管正向压降V<Sub>SD</Sub>
检测对象：半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
检测项目：稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>，R<Sub>jc</Sub>、瞬态热阻Z<Sub>th</Sub>
检测对象：半导体二极管（稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管）
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
检测项目：集电极-发射极击穿电压V(BR)<Sub>CEO</Sub>、漏-源击穿电压V(BR)<Sub>DSS</Sub>
检测对象：半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
JESD51
半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法 -14-
检测项目：稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>，R<Sub>jc</Sub>
检测对象：半导体IGBT电路
半导体器件 分立器件 第3部分:信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节4.2.3,
检测项目：反向恢复时间t<Sub>rr</Sub>
检测对象：半导体IGBT电路
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法 JESD51-14-
半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法 JESD51-14-
检测项目：稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>，R<Sub>jc</Sub>
检测对象：半导体二极管（稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管）
检测对象：半导体晶体管(达林顿,三极管模块，开关管)
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)
半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F 3431,
半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F 3431,
检测项目：结电容(C<Sub>iss</Sub>,C<Sub>oss</Sub>,C<Sub>rss</Sub>）
检测对象：半导体晶体场效应管(MOSFET,碳化硅MOSFET)