数据更新时间
2026-05-12
按“DS”筛选，展示 4 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 3 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 GB/T 4586-1994 第IV章 方法
检测项目：漏源通态电阻（r<sub>DS(on)</sub>）、漏极截止电流（I<sub>DSS</sub>）
检测对象：场效应管
GJB 128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：漏源击穿电压(V<sub>(BR)DSS</sub>)
检测对象：场效应管
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：漏源击穿电压(V<sub>(BR)DSS</sub>)
检测对象：场效应管