数据更新时间
2026-05-12
按“GB/T 29332-2012”筛选,展示 4 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。
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半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:栅极-发射极阈值电压(V<sub>GE(th)</sub>)、栅极-发射极漏电流(I<sub>GES</sub>)、集电极截止电流(I<sub>CES</sub>)、集电极-发射极饱和电压(V<sub>CE(sat)</sub>)
检测对象:绝缘栅双极型晶体管