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2026-05-12
按“U”筛选，展示 125 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 15 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第IV篇 第2节
检测项目：输出高电平电压（V<sub>OH</sub>）、输出低电平电压（V<sub>OL</sub>）、输入高电平电流(I<sub>IH</sub>)、输入低电平电流（I<sub>IL</sub>）、输出短路电流(I<sub>OS</sub>)、静态条件下的电源电流(I<sub>CC</sub>)、输入箝位电压(V<sub>IK</sub>)、输出高阻态电流(I<sub>OZ</sub>) 等 33 项，点击展开全部
检测对象：数字集成电路
检测对象：半导体集成电路-CMOS电路
检测对象：半导体集成电路-TTL电路
检测对象：半导体集成电路-存储器
检测对象：微控制单元
检测对象：数字信号处理器
半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路 第IV篇 第2节 方法
检测项目：输入失调电流(I<sub>IO</sub>)、输入失调电压（V<sub>IO</sub>）、输入偏置电流(I<sub>IB</sub>)、开环电压放大倍数(A<sub>VO</sub>)、共模抑制比(K<sub>CMR</sub>)、电源电压抑制比(K<sub>SVR</sub>)、输出电压范围(V<sub>O</sub>)、电源电流(I<sub>CC</sub>)
检测对象：半导体集成电路运算放大器
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
检测项目：集电极-基极截止电流（直流法）（I<sub>CBO</sub>）、发射极-基极截止电流（直流法）（I<sub>EBO</sub>）、集电极-发射极饱和电压（V<sub>CEsat</sub>）、基极-发射极饱和电压(V<sub>BEsat</sub>）、集电极-基极电压（V<sub>CBO</sub>、V<sub>CBS</sub>、V<sub>CBR</sub>、V<sub>CBX</sub>）、发射极-基极电压（V<sub>EBO</sub>）、输入电压（V<sub>I</sub>）、共发射极正向电流传输比（h<sub>21E</sub>）、集电极-发射极截止电流（直流法）(I<sub>CEO</sub>、I<sub>CEX</sub>、I<sub>CES</sub>、I<sub>CER</sub>)
检测对象：双极型晶体管
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项目：输入失调电压(V<sub>IO</sub>)、输入失调电流(I<sub>IO</sub>)、输入偏置电流(I<sub>IB</sub>)、静态功耗(P<sub>D</sub>)、开环电压增益(A<sub>VD</sub>)、输出低电平电压(V<sub>OL</sub>)、输出低电平电流(I<sub>OL</sub>)
检测对象：半导体集成电路电压比较器
半导体器件 第6部分：晶闸管
检测项目：门极触发电流(I<sub>GT</sub>)、门极触发电压(V<sub>GT</sub>)、通态电压(V<sub>T</sub>)、断态电流(I<sub>D</sub>)、反向峰值电流(I<sub>RM</sub>)、维持电流(I<sub>H</sub>)、擎住电流(I<sub>L</sub>)
检测对象：晶闸管
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第IV章 方法
检测项目：栅源阈值电压（V<sub>GS(To)</sub>）、漏源通态电阻（r<sub>DS(on)</sub>）、栅极截止电流（I<sub>GSSR</sub>）、栅极漏泄电流（I<sub>GSSF</sub>）、漏极截止电流（I<sub>DSS</sub>）、正向跨导(g<sub>fs</sub>)
检测对象：场效应管
半导体集成电路电压调整器测试方法
检测项目：电压调整率（S<sub>V</sub>）、电流调整率（S<sub>I</sub>）、纹波抑制比（S<sub>rip</sub>）、输出电压(V<sub>O</sub>)、静态电流(I<sub>Q</sub>)
检测对象：半导体集成电路电压调整器
SJ 20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项目：输出电压（V<sub>O</sub>）、电压调整率（S<sub>V</sub>）、电流调整率(S<sub>I</sub>)、输出纹波电压（V<sub>RIP</sub>)、输入电流(I<sub>I</sub>)
检测对象：DC/DC变换器
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
检测项目：正向电压（V<sub>F</sub>）、反向电流（I<sub>R</sub>）、反向击穿电压（V<sub>(BR)</sub>）、正向电压(V<sub>F</sub>)
检测对象：二极管
检测对象：光电耦合器
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：栅极-发射极阈值电压(V<sub>GE(th)</sub>)、栅极-发射极漏电流(I<sub>GES</sub>)、集电极截止电流(I<sub>CES</sub>)、集电极-发射极饱和电压(V<sub>CE(sat)</sub>)
检测对象：绝缘栅双极型晶体管
半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件测试方法
检测项目：暗电流（I<sub>CEO</sub>）、集电极发射极饱和电压（V<sub>CEsat</sub>）、电流传输比（h<sub>F(ctr)</sub>）
检测对象：光电耦合器
电子设备用固定电容器 第1部分：总规范
检测项目：电容量(C<sub>N</sub>)、漏电流(I<sub>O</sub>)、绝缘电阻(R<sub>I</sub>)
检测对象：电容器
GJB 128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：集电极-发射极击穿电压（V(BR)<sub>CEO</sub>)、漏源击穿电压(V<sub>(BR)DSS</sub>)
检测对象：双极型晶体管
检测对象：场效应管
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：集电极-发射极击穿电压（V(BR)<sub>CEO</sub>)、漏源击穿电压(V<sub>(BR)DSS</sub>)
检测对象：双极型晶体管
检测对象：场效应管
半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第IV篇 第2节 方法
检测项目：稳压管工作电压（V<sub>Z</sub>）
检测对象：二极管