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北京京瀚禹电子工程技术有限公司

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地址:北京市昌平区沙河镇松兰堡村西海特光电院内办公楼1层102室

联系电话:010-80765808

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

按“DS”筛选,展示 34 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。

按标准归类为 9 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

DSP测试方法 GJB 7705-2012 方法

DSP测试方法 GJB 7705-2012 方法

13 项检测项目

检测项目:输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、典型工作状态下D<Sub>SP</Sub>功耗测试、输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>、输出低电平电流I<Sub>OL</Sub>、功能测试 等 13 项,点击展开全部

检测对象:DSP

输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>典型工作状态下D<Sub>SP</Sub>功耗测试输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>输出低电平电流I<Sub>OL</Sub>功能测试

检测对象:DSP数字信号处理器

输出高电平电压输出低电平电压输入高电平电流输入低电平电流典型工作状态下DSP功耗测试功能测试
GB/T 17574-1998

半导体器件集成电路 第2部分:数字集成电路 第Ⅳ篇第二节

10 项检测项目

检测项目:输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、电源电流I<Sub>CC</Sub>、输出高电平电压、输出低电平电压、输入高电平电流 等 10 项,点击展开全部

检测对象:DSP

输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>电源电流I<Sub>CC</Sub>

检测对象:DSP数字信号处理器

输出高电平电压输出低电平电压输入高电平电流输入低电平电流静态条件下的电源电流
GB/T 4586-1994

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章 测试方法

2 项检测项目

检测项目:通态漏-源电阻r<Sub>dson</Sub>、漏-源通态电压V<Sub>DSon</Sub>

检测对象:场效应晶体管

通态漏-源电阻r<Sub>dson</Sub>漏-源通态电压V<Sub>DSon</Sub>

半导体集成电路 现场可编程门阵列测试方法 SJ/T 11706-2018

半导体集成电路 现场可编程门阵列测试方法 SJ/T 11706-2018

2 项检测项目

检测项目:电源电流I<Sub>CC</Sub>、静态条件下的电源电流

检测对象:DSP

电源电流I<Sub>CC</Sub>

检测对象:DSP数字信号处理器

静态条件下的电源电流

半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

2 项检测项目

检测项目:输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>、输出低电平电流I<Sub>OL</Sub>

检测对象:DSP

输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>输出低电平电流I<Sub>OL</Sub>

半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996

半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996

1 项检测项目

检测项目:维持状态时V<Sub>DD</Sub>电源电流I<Sub>DDS</Sub>

检测对象:半导体器件集成电路存储器

维持状态时V<Sub>DD</Sub>电源电流I<Sub>DDS</Sub>
GB/T14028-2018

半导体集成电路模拟开关测试方法

1 项检测项目

检测项目:导通态漏电流I<Sub>DSon</Sub>

检测对象:半导体集成电路模拟开关

导通态漏电流I<Sub>DSon</Sub>

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法

1 项检测项目

检测项目:漏-源击穿电压B<Sub>BRDSX</Sub>

检测对象:场效应晶体管

漏-源击穿电压B<Sub>BRDSX</Sub>

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法

1 项检测项目

检测项目:漏-源击穿电压B<Sub>BRDSX</Sub>

检测对象:场效应晶体管

漏-源击穿电压B<Sub>BRDSX</Sub>

机构信息

机构名称

北京京瀚禹电子工程技术有限公司

所在地区

北京市 · 北京市

企业地址

北京市昌平区沙河镇松兰堡村西海特光电院内办公楼1层102室

联系电话

010-80765808

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