数据更新时间
2026-05-12
按“GB/T29332-2012”筛选，展示 10 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 1 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：集电极—发射极击穿电压V<Sub>CES</Sub>、集电极—发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、栅极—发射极阈值电压V<Sub>GEth</Sub>、集电极截止电流I<Sub>CES</Sub>、栅极漏电流I<Sub>GES</Sub>、集电极—发射极击穿电压、栅极—发射极阈值电压、集电极截止电流 等 10 项，点击展开全部
检测对象：绝缘栅双极型晶体管