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2026-05-12
按“U”筛选，展示 402 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
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集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC- Q100-REV-J August 11,2023 C
集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC- Q100-REV-J August 11,2023 C
检测项目：引出端强度、可焊性、键合点剪切强度
检测对象：车用集成电路
集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q100-REV-J August 11, 2023 A
集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q100-REV-J August 11, 2023 A
检测项目：温度循环、高温存储
检测对象：车用集成电路
集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q100-REV-J August 11, 2023 G
集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q100-REV-J August 11, 2023 G
检测项目：恒定加速度、粗细检漏
检测对象：车用集成电路
集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC- Q100-REV-J August 11,2023 G
集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC- Q100-REV-J August 11,2023 G
检测项目：芯片剪切
检测对象：车用集成电路
集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q100-REV-J August 11, 2023 B
集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q100-REV-J August 11, 2023 B
检测项目：高温工作寿命
检测对象：车用集成电路
集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q100-REV-J August 11, 2023 C
集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q100-REV-J August 11, 2023 C
检测项目：物理尺寸
检测对象：车用集成电路
车载应用多芯片模块的可靠性应力测试标准 AEC-Q100-REV-J August 11, 2023 A
车载应用多芯片模块的可靠性应力测试标准 AEC-Q100-REV-J August 11, 2023 A
检测项目：温度循环
检测对象：车用多芯片模块
半导体集成电路 第2部分：数字集成电路 第IV篇第3节
检测项目：电源电流I<Sub>DD</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZL</Sub>、输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub> 等 22 项，点击展开全部
检测对象：CMOS数字集成电路
检测对象：半导体集成电路TTL电路
检测对象：半导体器件集成电路存储器
检测对象：半导体集成电路微处理器及外围接口电路
检测对象：半导体集成电路模拟开关
检测对象：半导体集成电路时基电路
检测对象：半导体集成电路霍尔效应数字开关电路
检测对象：DSP
检测对象：现场可编程门阵列
半导体器件 集成电路第3部分：模拟集成电路
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出峰-峰值电压V<Sub>OPP</Sub>、开环电压增益A<Sub>VO</Sub> 等 18 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路运算放大器
检测对象：半导体集成电路电压调整器
半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996
半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996
检测项目：输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输出短路电流I<Sub>OS</Sub>、输出高阻态时高电平电流I<Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流I<Sub>OZL</Sub> 等 15 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路TTL电路
半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
检测项目：输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZL</Sub>、输出短路电流I<Sub>OS</Sub>、正向阈值电压V<Sub>IT+</Sub>、负向阈值电压V<Sub>IT-</Sub>、滞后电压 △V<Sub>T</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub> 等 14 项，点击展开全部
检测对象：CMOS数字集成电路
检测对象：半导体集成电路时基电路
检测对象：DSP
检测对象：现场可编程门阵列
检测对象：半导体集成电路电压调整器
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006
检测项目：功耗P<Sub>W</Sub>、输入阻抗R<Sub>IN</Sub>、数字输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>、数字输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>、数字输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、数字输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、数字输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、数字输出低电平电压V<Sub>OL</Sub> 等 13 项，点击展开全部
检测对象：集成电路模拟/数字转换器
检测对象：集成电路数字/模拟转换器
集成电路 模拟数字、数字模拟转换器测试方法 GJB9388-2018
集成电路 模拟数字、数字模拟转换器测试方法 GJB9388-2018
检测项目：功耗P<Sub>W</Sub>、增益误差E<Sub>G</Sub>、失调误差E<Sub>O</Sub>、满度误差E<Sub>FS</Sub>、微分非线性D<Sub>NL</Sub>、积分非线性I<Sub>NL</Sub>、失码M<Sub>C</Sub>、模拟输入电流I<Sub>I</Sub> 等 13 项，点击展开全部
检测对象：集成电路模拟/数字转换器
检测对象：集成电路数字/模拟转换器
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：集电极-基极击穿电压V<Sub>BRCBX</Sub>、发射极-基极击穿电压V<Sub>BREBX</Sub>、集电极-发射极击穿电压V<Sub>BRCEX</Sub>、集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、发射极-基极截止电流I<Sub>EBO</Sub>、正向电流传输比h<Sub>FE</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub> 等 13 项，点击展开全部
检测对象：双极型晶体管
检测对象：场效应晶体管
检测对象：整流二极管
检测对象：开关二极管
检测对象：调整二极管
检测对象：发光二极管
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、正向电流I<Sub>F</Sub>、反向击穿电压V<Sub>BR</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、集电极-发射极击穿电压V<Sub>BRCEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、电流传输比C<Sub>TR</Sub> 等 13 项，点击展开全部
检测对象：半导体光电耦合器
半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017
半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、输出短路电流I<Sub>OS</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出峰-峰值电压V<Sub>OPP</Sub> 等 13 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路运算放大器
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、最大共模输入电压V<Sub>ICM</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、开环电压增益A<Sub>VD</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub> 等 13 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路电压比较器
半导体集成电路电压比较器测试方法 SJ/T10805-2018
半导体集成电路电压比较器测试方法 SJ/T10805-2018
检测项目：输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、最大共模输入电压V<Sub>ICM</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、开环电压增益A<Sub>VD</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub> 等 12 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路电压比较器
混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ20646-1997
检测项目：输出电压V<Sub>O</Sub>、输出电流I<Sub>o</Sub>、输出纹波电压V<Sub>rip</Sub>、电压调整率S<Sub>v</Sub>、电流调整率S<Sub>i</Sub>、交叉调整率V<Sub>c</Sub>、输入电流I<Sub>I</Sub>、开关频率f<Sub>e</Sub> 等 11 项，点击展开全部
检测对象：混合集成电路DC/DC电源模块
半导体集成电路电压调整器测试方法
检测项目：输出电压V<Sub>o</Sub>、输出噪声电压V<Sub>no</Sub>、电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>、电源纹波抑制比S<Sub>rip</Sub>、耗散电流I<Sub>D</Sub>和耗散电流变化△I<Sub>D</Sub>、最小输入输出电压差V<Sub>DROP</Sub>、基准电压V<Sub>REF</Sub> 等 10 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路电压调整器
半导体集成电路 现场可编程门阵列测试方法 SJ/T 11706-2018
半导体集成电路 现场可编程门阵列测试方法 SJ/T 11706-2018
检测项目：电源电流I<Sub>CC</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>、输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、静态接口电源电流I<Sub>ICC0Q</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：DSP
检测对象：现场可编程门阵列
半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出峰-峰值电压V<Sub>OPP</Sub>、开环电压增益A<Sub>VO</Sub>、最大输出电流I<Sub>Omax</Sub>、驱动高电平V<Sub>OPP</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路运算放大器
半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000
检测项目：输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>、输出低电平电流I<Sub>OL</Sub>、输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、电源电流I<Sub>DD</Sub>
检测对象：CMOS数字集成电路
检测对象：半导体集成电路模拟开关
半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项目：复位电压V<Sub>R</Sub>、复位电流I<Sub>R</Sub>、触发电压V<Sub>TR</Sub>、触发电流I<Sub>TR</Sub>、阈值电压V<Sub>T</Sub>、阈值电流I<Sub>T</Sub>、控制端电压V<Sub>C</Sub>、静态电源电流I<Sub>+</Sub>
检测对象：半导体集成电路时基电路
半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996
半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流I<Sub>OZL</Sub>、输入负载电流I<Sub>LI</Sub>、工作状态时V<Sub>DD</Sub>电源电流I<Sub>DD</Sub>、维持状态时V<Sub>DD</Sub>电源电流I<Sub>DDS</Sub>
检测对象：半导体器件集成电路存储器
半导体集成电路模拟开关测试方法
检测项目：导通电阻R<Sub>on</Sub>、导通电阻路差△R<Sub>on</Sub>、截止态漏极漏电流I<Sub>Doff</Sub>、截止态源极漏电流I<Sub>Soff</Sub>、导通态漏电流I<Sub>DSon</Sub>、开启时间t<Sub>on</Sub>、关断时间t<Sub>off</Sub>
检测对象：半导体集成电路模拟开关
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章 测试方法
检测项目：栅极截止电流或栅极漏泄电流I<Sub>GS</Sub>、栅-源阈值电压V<Sub>GSTO</Sub>、栅-源截止电压V<Sub>GSoff</Sub>、通态漏-源电阻r<Sub>dson</Sub>、漏极电流I<Sub>D</Sub>、小信号短路正向跨导g<Sub>fs</Sub>、漏-源通态电压V<Sub>DSon</Sub>
检测对象：场效应晶体管
半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章 第3节
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、总电容C<Sub>tot</Sub>、工作电压V<Sub>Z</Sub>、微分电阻r<Sub>z</Sub>、调整电流I<Sub>S</Sub>、极限电压V<Sub>L</Sub>
检测对象：整流二极管
检测对象：开关二极管
检测对象：调整二极管
检测对象：发光二极管
DSP测试方法 GJB 7705-2012 方法
DSP测试方法 GJB 7705-2012 方法
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、典型工作状态下D<Sub>SP</Sub>功耗测试、输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>、输出低电平电流I<Sub>OL</Sub>
检测对象：DSP
半导体集成电路 快闪存储器测试方法
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流I<Sub>OZL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>
检测对象：半导体器件集成电路存储器
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
检测项目：集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、发射极-基极截止电流I<Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub>、基极-发射极电压V<Sub>BE</Sub>
检测对象：双极型晶体管
半导体器件 第6部分：晶闸管
检测项目：通态电压V<Sub>T</Sub>、掣住电流I<Sub>L</Sub>、维持电压I<Sub>H</Sub>、断态电流I<Sub>D</Sub>、门极触发电流I<Sub>GT</Sub>、门极触发电压V<Sub>GT</Sub>
检测对象：晶闸管
半导体集成电路 电平转换器测试方法
检测项目：输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZL</Sub>、输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>、输出低电平电流I<Sub>OL</Sub>、输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>
检测对象：CMOS数字集成电路
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：集电极—发射极击穿电压V<Sub>CES</Sub>、集电极—发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、栅极—发射极阈值电压V<Sub>GEth</Sub>、集电极截止电流I<Sub>CES</Sub>、栅极漏电流I<Sub>GES</Sub>
检测对象：绝缘栅双极型晶体管
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006
检测项目：失调误差E<Sub>O</Sub>、数字输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>、数字输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、数字输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>
检测对象：集成电路数字/模拟转换器
半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件测试方法
检测项目：反向电流I<Sub>R</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、电流传输比C<Sub>TR</Sub>
检测对象：半导体光电耦合器
JB/T 12785-2016
霍尔接近开关传感器
检测项目：动作点磁感应强度B<Sub>op</Sub>、复位点磁感应强度B<Sub>RP</Sub>、回差B<Sub>HY</Sub>
检测对象：半导体集成电路霍尔效应数字开关电路
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
检测项目：漏-源击穿电压B<Sub>BRDSX</Sub>、正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>
检测对象：场效应晶体管
检测对象：整流二极管
检测对象：开关二极管
检测对象：调整二极管
检测对象：发光二极管
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、击穿电压V<Sub>BR</Sub>
检测对象：整流二极管
检测对象：调整二极管
检测对象：发光二极管
整流二极管测试方法
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、击穿电压V<Sub>BR</Sub>
检测对象：整流二极管
检测对象：调整二极管
检测对象：发光二极管
半导体光电子器件筛选与验收通用要求 GJB 5018-2001 方法
半导体光电子器件筛选与验收通用要求 GJB 5018-2001 方法
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、击穿电压V<Sub>BR</Sub>
检测对象：发光二极管
半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理 SJ/T10738-1996
半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理 SJ/T10738-1996
检测项目：输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、输出电压转换速率（压摆率）S<Sub>R</Sub>
检测对象：半导体集成电路运算放大器
半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996
半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996
检测项目：输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>、输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>
检测对象：半导体集成电路TTL电路
半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器（DDR3 SDRAM）测试方法
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>
检测对象：半导体器件集成电路存储器
集成电路 模拟数字、数字模拟转换器测试方法 GJB 9388-2018
集成电路 模拟数字、数字模拟转换器测试方法 GJB 9388-2018
检测项目：线性误差E<Sub>L</Sub>、电源电流I<Sub>CC</Sub>
检测对象：集成电路模拟/数字转换器
检测对象：集成电路数字/模拟转换器
微型小计算机系统设备用开关电源通用规范
检测项目：负载稳定度试验S<Sub>i</Sub>、电压稳定度试验S<Sub>V</Sub>
检测对象：开关电源
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法
检测项目：绝缘电阻R<Sub>I</Sub>
检测对象：混合集成电路DC/DC电源模块
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法
检测项目：集电极-发射极击穿电压V<Sub>BRCEX</Sub>
检测对象：双极型晶体管
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法4021、方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法4021、方法
检测项目：击穿电压V<Sub>BR</Sub>
检测对象：调整二极管
半导体集成电路运算(电压)放大器测试讲方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
半导体集成电路运算(电压)放大器测试讲方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
检测项目：静态电源电流I<Sub>S</Sub>
检测对象：半导体集成电路运算放大器
半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017 方法
半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017 方法
检测项目：静态电源电流I<Sub>S</Sub>
检测对象：半导体集成电路运算放大器
半导体集成电路电压比较器测试方法 SJ/T 10805-2018
半导体集成电路电压比较器测试方法 SJ/T 10805-2018
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>
检测对象：半导体集成电路电压比较器