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成都思科瑞微电子股份有限公司

当前查看:成都思科瑞微电子股份有限公司

四川省

地址:成都高新区安泰四路68号

联系电话:028-89140831

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

按“P”筛选,展示 53 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。

按标准归类为 40 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

《PIN、雪崩光电二极管测试方法》 SJ/T 2354-2015 /

《PIN、雪崩光电二极管测试方法》 SJ/T 2354-2015 /

4 项检测项目

检测项目:反向击穿电压、暗电流、结电容、响应度

检测对象:光电器件

反向击穿电压暗电流结电容响应度

车载应用多芯片模块的可靠性应力测试标准 AEC-Q104-REV-September 14,2017 A

车载应用多芯片模块的可靠性应力测试标准 AEC-Q104-REV-September 14,2017 A

3 项检测项目

检测项目:温度循环、功率温度循环、高温储存寿命

检测对象:车用多芯片模块

温度循环功率温度循环高温储存寿命

车载应用多芯片模块的可靠性应力测试标准 AEC-Q104-REV-September 14,2017 B

车载应用多芯片模块的可靠性应力测试标准 AEC-Q104-REV-September 14,2017 B

3 项检测项目

检测项目:高温工作寿命、早期寿命失效率、非易失性存储器耐久性,数据保留和操作寿命

检测对象:车用多芯片模块

高温工作寿命早期寿命失效率非易失性存储器耐久性,数据保留和操作寿命

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第A4项

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第A4项

1 项检测项目

检测项目:温度循环

检测对象:车用集成电路

温度循环

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第A5项

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第A5项

1 项检测项目

检测项目:功率温度循环

检测对象:车用集成电路

功率温度循环

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第A6项

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第A6项

1 项检测项目

检测项目:高温存储

检测对象:车用集成电路

高温存储

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第B1项

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第B1项

1 项检测项目

检测项目:高温工作寿命

检测对象:车用集成电路

高温工作寿命

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第B2项

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第B2项

1 项检测项目

检测项目:早夭试验

检测对象:车用集成电路

早夭试验

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第B3项

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第B3项

1 项检测项目

检测项目:NVM耐久性、数据保留和操作寿命

检测对象:车用集成电路

NVM耐久性、数据保留和操作寿命

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第C1项

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第C1项

1 项检测项目

检测项目:键合线剪切强度

检测对象:车用集成电路

键合线剪切强度

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第C2项

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第C2项

1 项检测项目

检测项目:键合线拉力

检测对象:车用集成电路

键合线拉力

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第C3项

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第C3项

1 项检测项目

检测项目:可焊性

检测对象:车用集成电路

可焊性

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第C4项

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第C4项

1 项检测项目

检测项目:物理尺寸

检测对象:车用集成电路

物理尺寸

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第G4项

集成电路的基于失效机理的应力测试验证 AEC - Q100 - REV-H September 11, 2014 表2 第G4项

1 项检测项目

检测项目:粗细检漏

检测对象:车用集成电路

粗细检漏

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第A2a项/A2b项

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第A2a项/A2b项

1 项检测项目

检测项目:高温高湿工作寿命

检测对象:车用光电半导体

高温高湿工作寿命

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第A3a项

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第A3a项

1 项检测项目

检测项目:功率温度循环

检测对象:车用光电半导体

功率温度循环

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第A4项

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第A4项

1 项检测项目

检测项目:温度循环

检测对象:车用光电半导体

温度循环

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第B1a项/B1b项

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第B1a项/B1b项

1 项检测项目

检测项目:高温工作寿命

检测对象:车用光电半导体

高温工作寿命

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第B1C项

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第B1C项

1 项检测项目

检测项目:高温反偏

检测对象:车用光电半导体

高温反偏

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第B2项

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第B2项

1 项检测项目

检测项目:低温工作寿命

检测对象:车用光电半导体

低温工作寿命

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第C2项

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第C2项

1 项检测项目

检测项目:物理尺寸

检测对象:车用光电半导体

物理尺寸

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第C3项

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第C3项

1 项检测项目

检测项目:键合线拉力

检测对象:车用光电半导体

键合线拉力

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第C4项

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第C4项

1 项检测项目

检测项目:键合线剪切强度

检测对象:车用光电半导体

键合线剪切强度

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第C10项

车用分立光电半导体器件的基于失效机理的应力测试验证 AEC-Q102-Rev A April 6, 2020 表2 第C10项

1 项检测项目

检测项目:可焊性

检测对象:车用光电半导体

可焊性

《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 /方法

《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 /方法

4 项检测项目

检测项目:外部目检、X射线检查、键合强度、芯片粘接、剪切强度

检测对象:电子元器件(DPA试验)

外部目检X射线检查键合强度芯片粘接、剪切强度

《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 /方法

《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 /方法

3 项检测项目

检测项目:外部目检、X射线检查、声学扫描显微镜检查

检测对象:电子元器件(DPA试验)

外部目检X射线检查声学扫描显微镜检查

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-

2 项检测项目

检测项目:外部目检、内部目检

检测对象:电子元器件(DPA试验)

外部目检内部目检

《电子及电气元件试验方法》 GJB 360B-2009 /方法

《电子及电气元件试验方法》 GJB 360B-2009 /方法

1 项检测项目

检测项目:X射线检查

检测对象:电子元器件(DPA试验)

X射线检查

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 /工作项目

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 /工作项目

1 项检测项目

检测项目:声学扫描显微镜检查

检测对象:电子元器件(DPA试验)

声学扫描显微镜检查

《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 /方法2010.1、2013、2014、2017.1、

《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 /方法2010.1、2013、2014、2017.1、

1 项检测项目

检测项目:内部目检

检测对象:电子元器件(DPA试验)

内部目检

《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 /方法2069、2070、2072~

《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 /方法2069、2070、2072~

1 项检测项目

检测项目:内部目检

检测对象:电子元器件(DPA试验)

内部目检

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 /工作项目1101.

《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 /工作项目1101.

1 项检测项目

检测项目:键合强度

检测对象:电子元器件(DPA试验)

键合强度

《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 /方法2011.1、

《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 /方法2011.1、

1 项检测项目

检测项目:键合强度

检测对象:电子元器件(DPA试验)

键合强度

《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 /方法2019.2、

《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 /方法2019.2、

1 项检测项目

检测项目:芯片粘接、剪切强度

检测对象:电子元器件(DPA试验)

芯片粘接、剪切强度

微电子试验方法和程序 GJB548B-2005 方法

微电子试验方法和程序 GJB548B-2005 方法

1 项检测项目

检测项目:扫描电子显微镜(SEM)检查

检测对象:电子元器件(DPA试验)

扫描电子显微镜(SEM)检查

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 0601/2.8、0702 /2.10、0902/2.10、1003/2.10、1004/2.8、1101/2.10、1102/2.10、1103/2.8、1104/2.8、1201/2.10、1301/2.10、1403/

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 0601/2.8、0702 /2.10、0902/2.10、1003/2.10、1004/2.8、1101/2.10、1102/2.10、1103/2.8、1104/2.8、1201/2.10、1301/2.10、1403/

1 项检测项目

检测项目:扫描电子显微镜(SEM)检查

检测对象:电子元器件(DPA试验)

扫描电子显微镜(SEM)检查

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 0601/2.7、0702 /2.9、0902/2.8、1001/2.5、1002/2.10、1003/2.10、1101/2.9、1102/2.9、1103/2.7、1201/2.9、1301/2.8、1403/

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 0601/2.7、0702 /2.9、0902/2.8、1001/2.5、1002/2.10、1003/2.10、1101/2.9、1102/2.9、1103/2.7、1201/2.9、1301/2.8、1403/

1 项检测项目

检测项目:扫描电子显微镜(SEM)检查

检测对象:电子元器件(DPA试验)

扫描电子显微镜(SEM)检查

微电子试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

微电子试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

1 项检测项目

检测项目:扫描电子显微镜(SEM)检查

检测对象:电子元器件(DPA试验)

扫描电子显微镜(SEM)检查

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法

1 项检测项目

检测项目:扫描电子显微镜(SEM)检查

检测对象:电子元器件(DPA试验)

扫描电子显微镜(SEM)检查

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法

1 项检测项目

检测项目:扫描电子显微镜(SEM)检查

检测对象:电子元器件(DPA试验)

扫描电子显微镜(SEM)检查

机构信息

机构名称

成都思科瑞微电子股份有限公司

所在地区

四川省

企业地址

成都高新区安泰四路68号

联系电话

028-89140831

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