数据更新时间
2026-05-12
按“U”筛选，展示 21 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 6 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验U:引出端及整体安装件强度 3,5,7,8.5.1,
检测项目：引出端强度
检测对象：电工电子产品
半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章 第1节/
检测项目：集电极基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、集电极发射极饱和电压V<Sub>CESAT</Sub>、基极发射极饱和电压V<Sub>BESAT</Sub>、集电极基极击穿电压V(<Sub>BR</Sub>)<Sub>CBO</Sub>、发射极基极击穿电压V(<Sub>BR</Sub>)<Sub>EBO</Sub>、集电极发射极击穿电压V(<Sub>BR</Sub>)<Sub>CEO</Sub>
检测对象：双极型晶体管
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章/
检测项目：栅极截止电流I<sub>GSS</sub>、漏极电流I<sub>D</sub>、栅源截止电压V<sub>GSoff</sub>、栅源阈值电压V<sub>GSTO</sub>、静态漏源通态电阻r<sub>DSon</sub>、栅源电压V<sub>GS</sub>
检测对象：场效应管
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：正向电压V<sub>F</sub>、反向电流I<sub>R</sub>、击穿电压V<sub>BR</sub>
检测对象：普通二极管
GJB 128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：正向电压V<sub>F</sub>、反向电流I<sub>R</sub>
检测对象：普通二极管
半导体器件 分立器件分规范 第4条 表
检测项目：正向电压V<sub>F</sub>、反向电流I<sub>R</sub>
检测对象：普通二极管