数据更新时间
2026-05-12
按“GB/T29332-2012”筛选，展示 9 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 1 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体器件 分立器件 第9部分 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目：集电极-发射极电压VCES、集电极-发射极短路时的栅极—发射极电压VGES、栅极—发射极短路时的集电极截止电流ICES、集电极-发射极短路时的栅极漏电流IGES、集电极-发射极饱和电压VCESAT、栅极-发射极阈值电压VGETH、开通期间的各时间间隔(td(on)、tr、ton) 和开通能量Eon、关断期间的各时间间隔(td(off)、tf、toff，tz) 和关断能量Eoff 等 9 项，点击展开全部
检测对象：绝缘栅双极晶体管