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深圳市国微电子有限公司实验室

当前查看:深圳市国微电子有限公司实验室

广东省 · 深圳市

地址:深圳市南山区高新南一道015号国微研发大楼六层A

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数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 100 条能力;该机构共 161 条能力记录。

按标准归类为 10 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

18 项检测项目

检测项目:老炼试验、恒定加速度、外部目检、内部目检(单片)、键合强度(破坏性键合拉力试验)、稳态寿命、X射线照相、内部目检和结构检查 等 18 项,点击展开全部

检测对象:集成电路

老炼试验恒定加速度外部目检内部目检(单片)键合强度(破坏性键合拉力试验)稳态寿命X射线照相内部目检和结构检查耐溶剂性外形尺寸内部目检(混合电路)芯片剪切强度粒子碰撞噪声检测试验芯片粘接的超声检测盐雾试验热冲击稳定性烘焙耐湿
GB/T 17940-2000

半导体器件 集成电路第3部分:模拟集成电路 第二节

18 项检测项目

检测项目:电源电流、输入失调电压、偏置电压、输入失调电流、输入偏置电流、开环电压放大倍数、共模抑制比、电源电压抑制比 等 18 项,点击展开全部

检测对象:模拟集成电路

电源电流输入失调电压偏置电压输入失调电流输入偏置电流开环电压放大倍数共模抑制比电源电压抑制比输出电压范围共模输入电压范围输出电压最大变化率备用电流(静态电流)基准电压静态导通态电阻导通时间截止时间截止态电流导通态电流

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法

17 项检测项目

检测项目:稳态寿命、恒定加速度、外部目检、内部目检(单片)、键合强度(破坏性键合拉力试验)、X射线照相、内部目检和结构检查、耐溶剂性 等 17 项,点击展开全部

检测对象:集成电路

稳态寿命恒定加速度外部目检内部目检(单片)键合强度(破坏性键合拉力试验)X射线照相内部目检和结构检查耐溶剂性外形尺寸内部目检(混合电路)芯片剪切强度稳定性烘焙粒子碰撞噪声检测试验芯片粘接的超声检测盐雾试验热冲击耐湿

混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ 20646-1997

混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ 20646-1997

15 项检测项目

检测项目:输出电压、输出电流、输出纹波电压、电压调整率、电流调整率、交叉调整率、输入电流、输出电压温度系数 等 15 项,点击展开全部

检测对象:DC/DC变换器

输出电压输出电流输出纹波电压电压调整率电流调整率交叉调整率输入电流输出电压温度系数效率绝缘电阻启动过冲(峰-峰值)启动延迟输入电压跃变时输出响应输入电压跃变时的恢复时间开关频率
GB/T 17574-1998

半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 Ⅳ3-

13 项检测项目

检测项目:输入高电平电流、输入低电平电流、输出短路电流、静态条件下的电源电流、(输入)阈值电压和滞后电压、输入嵌位电压、输出高阻态电流、动态条件下的总电源电流 等 13 项,点击展开全部

检测对象:数字集成电路

输入高电平电流输入低电平电流输出短路电流静态条件下的电源电流(输入)阈值电压和滞后电压输入嵌位电压输出高阻态电流动态条件下的总电源电流传输时间延迟时间和转换时间建立时间和保持时间数字集成电路的功能检验方法时序电路的转换频率
GB/T 4377-2018

半导体集成电路 电压调整器测试方法

11 项检测项目

检测项目:电压调整率、电流调整率、电源纹波抑制比、输出电压温度系数、输出噪声电压、耗散电流、短路电流、基准电压 等 11 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路(稳压器)

电压调整率电流调整率电源纹波抑制比输出电压温度系数输出噪声电压耗散电流短路电流基准电压最小输入输出电压差输出电压热调整率

军用CPU测试方法 GJB 7704-2012 方法

军用CPU测试方法 GJB 7704-2012 方法

5 项检测项目

检测项目:功能测试、电特性测试、字长测试、功耗测试、接口测试

检测对象:CPU电路

功能测试电特性测试字长测试功耗测试接口测试
GB/T 4937.4-2012

半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分强加速稳态湿热试验(HAST)

1 项检测项目

检测项目:强加速稳态湿热试验(HAST)

检测对象:集成电路

强加速稳态湿热试验(HAST)

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 项目1101、项目1102

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 项目1101、项目1102

1 项检测项目

检测项目:外部目检

检测对象:集成电路

外部目检

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 项目1101、项目1102

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 项目1101、项目1102

1 项检测项目

检测项目:外部目检

检测对象:集成电路

外部目检

机构信息

机构名称

深圳市国微电子有限公司实验室

所在地区

广东省 · 深圳市

企业地址

深圳市南山区高新南一道015号国微研发大楼六层A

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