天津市
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数据更新时间
2026-05-12
按“GB/T29332-2012”筛选,展示 8 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。
按标准归类为 1 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。
半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:栅极-发射极阈值电压VGE(th)、栅极-发射极漏电流I<Sub>GES</Sub>、集电极截止电流I<Sub>CES</Sub>、集电极-发射极饱和电压VCEsat、栅极电荷Qg、开通期间的各时间间隔(Td(on)、Tr、ton)和开通能量E<Sub>on</Sub>、关断期间的各时间间隔(Td(on)、Tf、ton))和开通能量Eoff、结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗
检测对象:绝缘栅双极型晶体管