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中科瑞测天津科技有限公司

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2026-05-12

能力范围

按“U”筛选,展示 46 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。

按标准归类为 7 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法 GJB 9388-2018

集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法 GJB 9388-2018

11 项检测项目

检测项目:失调误差E<Sub>O</Sub>、失调误差温度系数α<Sub>EO</Sub>、满度误差E<Sub>FS</Sub>、满度误差温度系数α<Sub>EFS</Sub>、增益误差E<Sub>G</Sub>、增益误差温度系数α<Sub>EG</Sub>、电源电流I<Sub>CC</Sub>、双极零点误差E<Sub>BZ</Sub> 等 11 项,点击展开全部

检测对象:模拟数字转换器

失调误差E<Sub>O</Sub>失调误差温度系数α<Sub>EO</Sub>满度误差E<Sub>FS</Sub>满度误差温度系数α<Sub>EFS</Sub>增益误差E<Sub>G</Sub>增益误差温度系数α<Sub>EG</Sub>电源电流I<Sub>CC</Sub>

检测对象:数字模拟转换器

失调误差E<Sub>O</Sub>失调误差温度系数α<Sub>EO</Sub>双极零点误差E<Sub>BZ</Sub>双极零点误差温度系数α<Sub>EBZ</Sub>增益误差E<Sub>G</Sub>增益误差温度系数α<Sub>EG</Sub>满度误差E<Sub>FS</Sub>满度误差温度系数α<Sub>EFS</Sub>满度输出电流I<Sub>O</Sub>模拟输出漏电流 I<Sub>OL</Sub>
GB/T17940-2000

半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路 第IV篇第2节

8 项检测项目

检测项目:输出电压范围(V<Sub>O</Sub>)、电源电流(I<Sub>CC</Sub>)、输入失调电流(I<Sub>IO</Sub>)、输入失调电压(V<Sub>IO</Sub>)、输入偏置电流(I<Sub>IB</Sub>)、开环电压放大倍数(A<Sub>VO</Sub>)、共模抑制比(K<Sub>CMR</Sub>)、电源电压抑制比(K<Sub>SVR</Sub>)

检测对象:运算放大器

输出电压范围(V<Sub>O</Sub>)电源电流(I<Sub>CC</Sub>)输入失调电流(I<Sub>IO</Sub>)输入失调电压(V<Sub>IO</Sub>)输入偏置电流(I<Sub>IB</Sub>)开环电压放大倍数(A<Sub>VO</Sub>)共模抑制比(K<Sub>CMR</Sub>)电源电压抑制比(K<Sub>SVR</Sub>)

GB/T 4587-94

半导体器件分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章第1节通用测试方法

8 项检测项目

检测项目:集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流I<Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压 V<Sub>BEsat</Sub>、集电极-基极击穿电压V<Sub>BRCBO</Sub>、发射极-基极击穿电压V<Sub>BREBO</Sub>、共发射极正向电流传输比HV<Sub>21E</Sub>、热阻(R<Sub>th</Sub>)

检测对象:双极型晶体管

集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>发射极-基极截止电流I<Sub>EBO</Sub>集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>基极-发射极饱和电压 V<Sub>BEsat</Sub>集电极-基极击穿电压V<Sub>BRCBO</Sub>发射极-基极击穿电压V<Sub>BREBO</Sub>共发射极正向电流传输比HV<Sub>21E</Sub>热阻(R<Sub>th</Sub>)
GB/T 4023-2015

半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

5 项检测项目

检测项目:正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、反向击穿电压V<Sub>BR</Sub>、热阻(R<Sub>th</Sub>)、瞬态热阻抗Z<Sub>th</Sub>(t)

检测对象:二极管

正向电压V<Sub>F</Sub>反向电流I<Sub>R</Sub>反向击穿电压V<Sub>BR</Sub>热阻(R<Sub>th</Sub>)瞬态热阻抗Z<Sub>th</Sub>(t)

GB-T4586-1994

半导体器件分立器件第8部分场效应晶体管 第Ⅳ章测试方法

4 项检测项目

检测项目:静态漏源导通电阻r<Sub>DSon</Sub>、漏极截止电流I<Sub>DSS</Sub>、瞬态热阻抗Z<Sub>thJ-C</Sub>和热阻R<Sub>thJ-C</Sub>、开关时间t<Sub>on</Sub>,t<Sub>off</Sub>

检测对象:场效应管

静态漏源导通电阻r<Sub>DSon</Sub>漏极截止电流I<Sub>DSS</Sub>瞬态热阻抗Z<Sub>thJ-C</Sub>和热阻R<Sub>thJ-C</Sub>开关时间t<Sub>on</Sub>,t<Sub>off</Sub>
GB/T29332-2012

半导体器件分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

3 项检测项目

检测项目:栅极-发射极漏电流I<Sub>GES</Sub>、集电极截止电流I<Sub>CES</Sub>、开通期间的各时间间隔(Td(on)、Tr、ton)和开通能量E<Sub>on</Sub>

检测对象:绝缘栅双极型晶体管

栅极-发射极漏电流I<Sub>GES</Sub>集电极截止电流I<Sub>CES</Sub>开通期间的各时间间隔(Td(on)、Tr、ton)和开通能量E<Sub>on</Sub>

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法

1 项检测项目

检测项目:漏源击穿电压V<Sub>BRDSS</Sub>

检测对象:场效应管

漏源击穿电压V<Sub>BRDSS</Sub>

机构信息

机构名称

中科瑞测天津科技有限公司

所在地区

天津市

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暂无地址信息

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