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数据更新时间
2026-05-12
按“PIND”筛选，展示 19 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 13 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 0701/
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 0701/
检测项目：粒子碰撞噪声检测(PIND)
检测对象：电磁继电器
有失效率等级的电磁继电器通用规范 GJB 65C-2021
有失效率等级的电磁继电器通用规范 GJB 65C-2021
检测项目：粒子碰撞噪声检测(PIND)
检测对象：电磁继电器
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 0702/
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 0702/
检测项目：粒子碰撞噪声检测(PIND)
检测对象：固体继电器
微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法
微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法
检测项目：粒子碰撞噪声检测(PIND)
检测对象：固体继电器
检测对象：石英晶体元件
检测对象：密封半导体集成电路
检测对象：混合集成电路(含多芯片组件)
检测对象：声表面波器件
检测对象：半导体光电模块
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 0901/
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 0901/
检测项目：粒子碰撞噪声检测(PIND)
检测对象：石英晶体元件
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1003/
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1003/
检测项目：粒子碰撞噪声检测(PIND)
检测对象：有键合丝表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：粒子碰撞噪声检测(PIND)
检测对象：有键合丝表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管
检测对象：光耦合器
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1101/
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1101/
检测项目：粒子碰撞噪声检测(PIND)
检测对象：密封半导体集成电路
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1102/
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1102/
检测项目：粒子碰撞噪声检测(PIND)
检测对象：混合集成电路(含多芯片组件)
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1201/
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1201/
检测项目：粒子碰撞噪声检测(PIND)
检测对象：光耦合器
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1301/
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1301/
检测项目：粒子碰撞噪声检测(PIND)
检测对象：声表面波器件
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1202/
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 1202/
检测项目：粒子碰撞噪声检测(PIND)
检测对象：半导体光电模块
军用电子元器件失效分析要求与方法 GJB 8897-2017
军用电子元器件失效分析要求与方法 GJB 8897-2017
检测项目：粒子碰撞噪声检测（PIND）
检测对象：半导体器件