数据更新时间
2026-05-12
按“芯片”筛选，展示 16 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 4 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1102 混合集成电路（含多芯片组件）
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027A-2006 工作项目1102 混合集成电路（含多芯片组件）
检测项目：外部目检、X射线检查、内部目检、扫描电子显微镜（SEM）检查、键合强度、剪切强度、内部气体成份分析
检测对象：电子元器件
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027B-2021 工作项目1102 混合集成电路（含多芯片组件）
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB 4027B-2021 工作项目1102 混合集成电路（含多芯片组件）
检测项目：外部目检、X射线检查、内部目检、扫描电子显微镜（SEM）检查、键合强度、剪切强度、内部气体成份分析
检测对象：电子元器件
《微电子器件机械试验方法 第2部分：试验方法2000-2999》 MIL-STD-883-2w/CHANGE1:2022 方法
《微电子器件机械试验方法 第2部分：试验方法2000-2999》 MIL-STD-883-2w/CHANGE1:2022 方法
检测项目：芯片剪切（DS）
检测对象：电子元器件
《半导体器件机械试验方法 第2部分：试验方法2001至2999》 MIL-STD-750-2B w/CHANGE1:2023 方法
《半导体器件机械试验方法 第2部分：试验方法2001至2999》 MIL-STD-750-2B w/CHANGE1:2023 方法
检测项目：芯片剪切（DS）
检测对象：电子元器件