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2026-05-12
按“H”筛选,展示 36 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。
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《微电子器件机械试验方法 第2部分:试验方法2000-2999》 MIL-STD-883-2w/CHANGE1:2022 方法
《微电子器件机械试验方法 第2部分:试验方法2000-2999》 MIL-STD-883-2w/CHANGE1:2022 方法
检测项目:芯片剪切(DS)、键合拉力(WBP)、盖板扭力测试(LT)、粗细检(GFL)、恒定加速度(CA)
检测对象:电子元器件
《半导体器件机械试验方法 第2部分:试验方法2001至2999》 MIL-STD-750-2B w/CHANGE1:2023 方法
《半导体器件机械试验方法 第2部分:试验方法2001至2999》 MIL-STD-750-2B w/CHANGE1:2023 方法
检测项目:芯片剪切(DS)、键合拉力(WBP)、端子强度(TS)
检测对象:电子元器件
《国防部试验方法标准 环境工程考虑和实验室试验》 MIL-STD-810H-2019 方法
《国防部试验方法标准 环境工程考虑和实验室试验》 MIL-STD-810H-2019 方法
检测项目:高温试验、交变湿热试验、温度冲击试验
检测对象:电工电子产品、专用设备
《环境工程考虑和实验室试验》 MIL-STD-810H-2019 方法
《环境工程考虑和实验室试验》 MIL-STD-810H-2019 方法
检测项目:加速度试验、温度-湿度-振动试验
检测对象:电工电子产品、专用设备
《无偏置高加速应力试验(UHST)》 JESD22-A118B.01:
《无偏置高加速应力试验(UHST)》 JESD22-A118B.01:
检测项目:无偏置高加速应力试验(UHST)
检测对象:电子元器件
《有偏置高加速应力试验(HAST》 JESD22-A110E.01:
《有偏置高加速应力试验(HAST》 JESD22-A110E.01:
检测项目:有偏置高加速应力试验(HAST)
检测对象:电子元器件
《微电子器件环境试验方法 第1部分:试验方法1000 - 1999》 MIL-STD-883-1w/CHANGE2:2024 方法
《微电子器件环境试验方法 第1部分:试验方法1000 - 1999》 MIL-STD-883-1w/CHANGE2:2024 方法
检测项目:内部水汽含量测试(IWV)
检测对象:电子元器件
《半导体器件机械试验方法 第2部分:试验方法2001至2999》 MIL-STD-750-2Bw/CHANGE1:2023 方法
《半导体器件机械试验方法 第2部分:试验方法2001至2999》 MIL-STD-750-2Bw/CHANGE1:2023 方法
检测项目:恒定加速度(CA)
检测对象:电子元器件
《半导体器件环境试验方法 第1部分:试验方法1000至1999》 MIL-STD-750-1Bw/CHANGE2:2023 方法
《半导体器件环境试验方法 第1部分:试验方法1000至1999》 MIL-STD-750-1Bw/CHANGE2:2023 方法
检测项目:稳态功率试验(SSOP)
检测对象:电子元器件
《半导体器件环境试验方法 第1部分:试验方法1000至1999》 MIL-STD-750-1Bw/CHANGE2:2023 方法1038、方法
《半导体器件环境试验方法 第1部分:试验方法1000至1999》 MIL-STD-750-1Bw/CHANGE2:2023 方法1038、方法
检测项目:高温反向偏压试验(HTRB)
检测对象:电子元器件
《国防部试验方法标准 环境工程考虑和实验室试验 》 MIL-STD-810H-2019 方法
《国防部试验方法标准 环境工程考虑和实验室试验 》 MIL-STD-810H-2019 方法
检测项目:低温试验
检测对象:电工电子产品、专用设备
《电工电子产品环境试验 第2部分: 试验方法 试验Db:交变湿热(12h+12h)循环》
检测项目:交变湿热试验
检测对象:电工电子产品、专用设备
《环境工程考虑和实验室试验 第二部分实验室试验方法516.5 冲击 》 MIL-STD-810H-
《环境工程考虑和实验室试验 第二部分实验室试验方法516.5 冲击 》 MIL-STD-810H-
检测项目:冲击试验
检测对象:电工电子产品、专用设备
《环境试验 第2部分:试验方法 试验Fh:宽带随机振动和导则》
检测项目:振动试验
检测对象:电工电子产品、专用设备
《环境工程考虑和实验室试验 第二部分实验室试验方法 514.8振动》 MIL-STD-810H-
《环境工程考虑和实验室试验 第二部分实验室试验方法 514.8振动》 MIL-STD-810H-
检测项目:振动试验
检测对象:电工电子产品、专用设备
《半导体光电耦合器测试方法》 SJ/T 2215-2015
《半导体光电耦合器测试方法》 SJ/T 2215-2015
检测项目:输出高电平电压<i>V</i><Sub>OH</Sub>、高电平电源电流 <i>I</i><Sub>CCH</Sub>
检测对象:光电耦合器
《稳态温湿度偏置寿命试验》 JEDEC JESD22-A101D.01:
《稳态温湿度偏置寿命试验》 JEDEC JESD22-A101D.01:
检测项目:高温高湿反偏试验(H3TRB)、有偏置温湿度寿命试验(THB)
检测对象:电子元器件
《人体模型静电放电试验》 AEC-Q101-001A:
《人体模型静电放电试验》 AEC-Q101-001A:
检测项目:静电放电(HBM)
检测对象:电子元器件
《人体模型静电放电试验》 AEC-Q100-002E:
《人体模型静电放电试验》 AEC-Q100-002E:
检测项目:静电放电(HBM)
检测对象:电子元器件
《通孔安装器件耐焊接热试验》 JEDEC JESD22-B106E:
《通孔安装器件耐焊接热试验》 JEDEC JESD22-B106E:
检测项目:耐焊接热(RSH)
检测对象:电子元器件
《密封》 JEDEC JESD22-A109B:
《密封》 JEDEC JESD22-A109B:
检测项目:气密性(HES)
检测对象:电子元器件
《高温栅极偏压》 JEDEC JESD22-A108G:2022 Section
《高温栅极偏压》 JEDEC JESD22-A108G:2022 Section
检测项目:高温栅极偏压(HTGB)
检测对象:电子元器件
《高温工作寿命试验》 JEDEC JESD22-A108G:2022 Section
《高温工作寿命试验》 JEDEC JESD22-A108G:2022 Section
检测项目:高温工作寿命试验(HTOL)
检测对象:电子元器件
《高温储存寿命试验》 JEDEC JESD22-A103E.01:
《高温储存寿命试验》 JEDEC JESD22-A103E.01:
检测项目:高温储存寿命试验(HTSL)
检测对象:电子元器件
《稳态温湿度偏置寿命试验》 JESD22-A101D.01:
《稳态温湿度偏置寿命试验》 JESD22-A101D.01:
检测项目:无偏置温湿度寿命试验(TH)
检测对象:电子元器件