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2026-05-12
按“W”筛选，展示 49 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
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GB/T 43061-2023
《半导体器件集成电路PWM控制器测试方法》
检测项目：基准电压、电压调整变化量、电流调整变化量、输出短路电流、振荡器初始频率、电压稳定性、输出脉冲高电平电压、输出脉冲低电平电压 等 31 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路PWM控制器
《微电子器件机械试验方法 第2部分：试验方法2000-2999》 MIL-STD-883-2w/CHANGE1:2022 方法
《微电子器件机械试验方法 第2部分：试验方法2000-2999》 MIL-STD-883-2w/CHANGE1:2022 方法
检测项目：芯片剪切（DS）、键合拉力（WBP）、盖板扭力测试（LT）、粗细检（GFL）、恒定加速度（CA）
检测对象：电子元器件
《半导体器件机械试验方法 第2部分：试验方法2001至2999》 MIL-STD-750-2B w/CHANGE1:2023 方法
《半导体器件机械试验方法 第2部分：试验方法2001至2999》 MIL-STD-750-2B w/CHANGE1:2023 方法
检测项目：芯片剪切（DS）、键合拉力（WBP）、端子强度（TS）
检测对象：电子元器件
《微电子器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000 - 1999》 MIL-STD-883-1w/CHANGE2:2024 方法
《微电子器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000 - 1999》 MIL-STD-883-1w/CHANGE2:2024 方法
检测项目：内部水汽含量测试（IWV）
检测对象：电子元器件
《半导体器件机械试验方法 第2部分：试验方法2001至2999》 MIL-STD-750-2Bw/CHANGE1:2023 方法
《半导体器件机械试验方法 第2部分：试验方法2001至2999》 MIL-STD-750-2Bw/CHANGE1:2023 方法
检测项目：恒定加速度（CA）
检测对象：电子元器件
《半导体器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000至1999》 MIL-STD-750-1Bw/CHANGE2:2023 方法
《半导体器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000至1999》 MIL-STD-750-1Bw/CHANGE2:2023 方法
检测项目：稳态功率试验（SSOP）
检测对象：电子元器件
《半导体器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000至1999》 MIL-STD-750-1Bw/CHANGE2:2023 方法1038、方法
《半导体器件环境试验方法 第1部分：试验方法1000至1999》 MIL-STD-750-1Bw/CHANGE2:2023 方法1038、方法
检测项目：高温反向偏压试验（HTRB）
检测对象：电子元器件
《微波电路放大器测试方法》 GJB 8125-2013
《微波电路放大器测试方法》 GJB 8125-2013
检测项目：输入电压驻波比<i>VSWR</i><sub>i</sub>、输出电压驻波比<i>VSWR</i><sub>o</sub>
检测对象：微波射频元器件
《键合剪切试验方法》 AEC-Q100-001C:
《键合剪切试验方法》 AEC-Q100-001C:
检测项目：键合剪切（WBS）
检测对象：电子元器件
《键合剪切试验方法》 JEDEC JESD22-B116B:
《键合剪切试验方法》 JEDEC JESD22-B116B:
检测项目：键合剪切（WBS）
检测对象：电子元器件
《键合剪切试验方法》 AEC-Q101-003A:
《键合剪切试验方法》 AEC-Q101-003A:
检测项目：键合剪切（WBS）
检测对象：电子元器件
《无铅试验要求》 AEC Q005A:2010
《无铅试验要求》 AEC Q005A:2010
检测项目：晶须生长评估（WG）
检测对象：电子元器件