数据更新时间
2026-05-12
按“U”筛选，展示 23 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 4 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章第1节
检测项目：集电极-基极截止电流（直流法）<i>I</i><Sub>CBO</Sub>、发射机-基极截止电流（直流法）<i>I</i><Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极截止电流（直流法）<i>I</i><Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压<i>V</i><Sub>CESat</Sub>、基极-发射极饱和电压<i>V</i><Sub>BESat</Sub>、共发射极正向电流传输比（输出电压保持不变）（直流或脉冲法）<i>h</i><sub>21E</sub>、发射极电流为零时的集电极-基极击穿电压<i>V</i><Sub>(BR)CBO</Sub>、集电极电流为零时的发射极-基极击穿电压<i>V</i><Sub>(BR)EBO</Sub>
检测对象：双极型晶体管
半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路第IV篇 方法
检测项目：输入钳位电压<i>V</i><Sub>IK</Sub>、输出低电平电压<i>V</i><Sub>OL</Sub>、输入高电平电流<i>I</i><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流<i>I</i><Sub>IL</Sub>、输出高阻态电流<i>I</i><Sub>OZ</Sub>、输出高电平电压<i>V</i><Sub>OH</Sub>、输出短路电流<i>I</i><Sub>OS</Sub>
检测对象：半导体集成电路TTL电路
检测对象：半导体集成电路CMOS电路
半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节
检测项目：正向电压<i>V</i><Sub>F</Sub>、反向电流<i>I</i><Sub>R</Sub>
检测对象：信号（包括开关）和调整二极管
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目：栅-源阈值电压<i>V</i><sub>GS(TO)</sub>
检测对象：场效应晶体管