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数据更新时间
2026-05-12
已按“ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2022”定位到该机构。登录后查看该机构与关键词匹配的能力明细,也可以留下需求让工程师帮您确认。
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能力摘要
来自该机构公开能力范围。
半导体集成电路快闪存储器测试方法 GB/T 36477-2018 5.1.1
半导体器件集成电路 第2部分:数字集成电路 GB/T 17574-1998 第IV篇 测试方法 2-1
环境试验 第2部分:试验方法 试验N:温度变化 GB/T 2423.22-2012 7
静电放电敏感度测试,人体模型(HBM)-器件级 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2024
静电放电敏感度测试,带电器件模型(CDM)-器件级 ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2022
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温 GB/T 2423.1-2008
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温 GB/T 2423.2-2008
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Db: 交变湿热(12h+12h循环) GB/T 2423.4-2008
清华大学微电子学研究所未来芯片技术高精尖创新中心测试实验室已整理公开能力范围,可按标准号、产品名称或检测项目在本页继续查询确认。
代表标准包括 GB/T 36477-2018、GB/T 17574-1998、GB/T 2423.22-2012、ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2024、ANSI/ESDA/JEDEC JS-002-2022、GB/T 2423.1-2008 等。完整匹配明细建议按标准号、产品名称或检测项目在本页继续查询确认。
代表检测对象包括 集成电路、电子电气产品 等,具体是否覆盖您的产品型号、样品状态和报告用途,需结合实验室能力范围确认。
建议以具体产品、检测项目、标准号和报告用途发起查询或提交需求。具备相应资质范围的承接实验室可按委托要求出具检测报告;报告可使用范围需以承接实验室资质、检测标准、委托要求及接收方审核为准。
建议换成标准号、检测对象或检测项目关键词再试,或切换到其他分公司查看。