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数据更新时间
2026-05-12
按“电极”筛选，展示 18 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 6 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章 第1节
检测项目：集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压、集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压
检测对象：双极型晶体管
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：集电极---射极击穿电压、集电极-基极击穿电压、集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流
检测对象：双极型晶体管
检测对象：晶体管
半导体器件分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法
检测项目：集电极-发射极暗电流I<Sub>CEO</Sub>、集电极-基极暗电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极饱和电压
检测对象：光电子器件
SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法
检测项目：集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CES</Sub>
检测对象：光电子器件
GB/T 29332-2012/IEC 60747-9:2007
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：集电极截止电流（ICES）、集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）
检测对象：绝缘栅双极型晶体管
GJB 128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：集电极---射极击穿电压
检测对象：双极型晶体管