四川省
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数据更新时间
2026-05-12
按“U”筛选,展示 112 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。
按标准归类为 18 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。
VHF/UHF频段无线电监测接收机技术要求及测试方法
检测项目:解调灵敏度、监测灵敏度、频率调谐分辨力、频率准确度、中频选择性、三阶截断点、二阶截断点、中频干扰抑制比 等 15 项,点击展开全部
检测对象:无线电监测接收机
2015-0708T-YD
VHF/UHF无线电监测测向系统现场测试方法
检测项目:解调灵敏度、监测灵敏度、频率准确度、中频选择性、中频干扰抑制比、镜频干扰抑制比、接收机杂散发射、扫描速度 等 14 项,点击展开全部
检测对象:无线电监测测向系统
YD/T 2779-2014
VHF/UHF 无线电管制发射机技术要求及测试方法
检测项目:输出功率、功率精度、功率可调范围、功率稳定度、频率范围、频率容限、频率稳定度、多载波发射互调抑制比 等 12 项,点击展开全部
检测对象:无线电管制发射机
VHF/UHF无线电监测测向系统开场测试参数和测试方法
检测项目:监测系统监测灵敏度、监测系统场强测量精度、监测系统频率测量精度、监测系统识别信号能力、测向系统测向灵敏度、测向系统测向精度、测向系统带内抗扰度、测向系统互调抑制度 等 9 项,点击展开全部
检测对象:无线电监测测向系统
YD/T 2675-2013
VHF/UHF无线电监测测向系统开场测试参数和测试方法
检测项目:监测系统监测灵敏度、监测系统场强测量精度、监测系统频率测量精度、监测系统识别信号能力、测向系统测向灵敏度、测向系统测向精度、测向系统带内抗扰度、测向系统互调抑制度 等 9 项,点击展开全部
检测对象:无线电监测测向系统
UL 60950-1-07(Second Edition) + A1: 2011 + A2: 2014
信息技术设备 安全 第1部分:通用要求
检测项目:总则、危险的防护、布线、连接和供电、结构要求、电气要求和模拟异常条件、与通信网络的连接、与电缆分配系统的连接
检测对象:信息技术设备
Regulatory guide 1.180
安全相关仪器和控制系统中电磁和射频干扰评估指南
检测项目:射频电磁场辐射抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度、浪涌(冲击)抗扰度、射频场感应的传导骚扰抗扰度、工频磁场抗扰度、交流电源端口谐波、谐间波及电网信号的低频抗扰度、振铃波抗扰度试验
检测对象:一般电子电气产品
2015-0709T-YD
基于空间谱估计的VHF/UHF无线电测向系统开场测试参数和测试方法
检测项目:测向灵敏度、单信号测向精度、两个非相干信号测向精度、两个相干信号测向精度、两个非相干信号测向分辨率、两个相干信号测向分辨率、测向来波数目
检测对象:无线电监测测向系统
T/RAC 024-2021
VHF/UHF频段无线电监测测向系统维修与报废技术要求及测试方法
检测项目:监测系统监测灵敏度、监测系统频率测量精度、监测系统识别信号能力、测向系统测向灵敏度、测向系统测向精度、系统对瞬时信号的监测、测向能力
检测对象:无线电监测测向系统
MIL-STD-750-1B 15 August 2022
半导体器件的环境试验方法 第1部分:方法1000至1999 方法
检测项目:老炼(晶体管)、老炼和寿命试验(功率场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管)(IGBT)、老炼(二极管、整流管、电压调整和电压基准管)
检测对象:电子元器件
VHF/UHF频段无线电监测站电磁环境保护要求和测试方法
检测项目:电磁环境干扰
检测对象:电磁环境
SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法
检测项目:集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、正向电压V<Sub>F</Sub>、正向电流I<Sub>F</Sub>、反向漏电流I<Sub>R</Sub>、反向击穿电压V<Sub>BR</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CES</Sub>
检测对象:光电子器件
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 第Ⅳ章 第1节
检测项目:集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流I<Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、基极-发射极电压V<Sub>BE</Sub>、电流传输比h<Sub>FE</Sub>
检测对象:双极型晶体管
半导体器件分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法
检测项目:集电极-发射极暗电流I<Sub>CEO</Sub>、集电极-基极暗电流I<Sub>CBO</Sub>、开通时间T<Sub>ON</Sub>、关断时间T<Sub>OFF</Sub>
检测对象:光电子器件
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目:栅极截止电流I<Sub>GSS</Sub>、栅极泄漏电流I<Sub>GSS</Sub>、漏极截止电流I<Sub>DSS</Sub>
检测对象:场效应晶体管
半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章 第2节
检测项目:工作电压V<Sub>Z</Sub>、微分电阻R<Sub>Z</Sub>
检测对象:二极管
SJ/T 11394-2009
半导体发光二极管测试方法 5.2.2 方法
检测项目:反向电压V<Sub>R</Sub>
检测对象:二极管
半导体器件:分立器件和集成电路第2部分:整流二极管
检测项目:击穿电压V<Sub>BR</Sub>
检测对象:二极管