西安长禾半导体技术有限公司

能力范围

按“GB/T29332-2012”筛选，展示 5 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。

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GB/T 29332-2012

半导体器件分立器件第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）

5 项检测项目

检测项目：集电极-发射极饱和电压V<sub>CE</sub><sub>sat</sub>、集电极-发射极电压V<sub>CE</sub>、栅极漏电流I<sub>GES</sub>、集电极截止电流I<sub>CES</sub>、栅极-发射极阈值电压V<sub>GE</sub>(<sub>th</sub>)

检测对象：绝缘栅双极性晶体管（IGBT)

集电极-发射极饱和电压V<sub>CE</sub><sub>sat</sub>集电极-发射极电压V<sub>CE</sub>栅极漏电流I<sub>GES</sub>集电极截止电流I<sub>CES</sub>栅极-发射极阈值电压V<sub>GE</sub>(<sub>th</sub>)