数据更新时间
2026-05-12
按“Mo”筛选，展示 5 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 1 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：开通延迟时间t<sub>d</sub>(<sub>on</sub>)、上升时间t<sub>r</sub>、关断延迟时间t<sub>d</sub>(<sub>off</sub>)、下降时间t<sub>f</sub>、漏-源击穿电压V(<sub>BR</sub>)<sub>DS</sub>
检测对象：功率金属氧化物场效应管（MOSFET）