数据更新时间
2026-05-12
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半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：反向漏电流I<sub>R</sub>、开通延迟时间t<sub>d</sub>(<sub>on</sub>)、上升时间t<sub>r</sub>、关断延迟时间t<sub>d</sub>(<sub>off</sub>)、下降时间t<sub>f</sub>、漏-源击穿电压V(<sub>BR</sub>)<sub>DS</sub>
检测对象：二极管
检测对象：功率金属氧化物场效应管（MOSFET）
JB/T 7626-2013
反向阻断三极晶闸管测试方法
检测项目：通态电压V<sub>T</sub>、断态电流I<sub>D</sub>、维持电流I<sub>H</sub>、门极触发电流I<sub>GT</sub>、门极触发电压V<sub>GT</sub>
检测对象：晶闸管
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：集电极-发射极饱和电压V<sub>CE</sub><sub>sat</sub>、集电极-发射极电压V<sub>CE</sub>、栅极漏电流I<sub>GES</sub>、集电极截止电流I<sub>CES</sub>、栅极-发射极阈值电压V<sub>GE</sub>(<sub>th</sub>)
检测对象：绝缘栅双极性晶体管（IGBT)