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数据更新时间
2026-05-12
按“DS”筛选，展示 6 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 5 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体器件 第8部分 场效应晶体管
检测项目：漏-源短路漏极电流IDSS、漏-源击穿电压BVDSS
检测对象：场效应晶体管
半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法
检测项目：漏-源击穿电压BVDSS
检测对象：场效应晶体管
GB/T4586-1994 15
半导体器件 第8部分 场效应晶体管
检测项目：静态漏-源通态电阻RDS（on）
检测对象：场效应晶体管
GB/T 4586-94
半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 第Ⅳ章 测试方法
检测项目：漏源通态电压V<Sub>DS</sub>（<Sub>on</sub>）
检测对象：场效应晶体管
半导体集成电路模拟开关测试方法
检测项目：导通态漏电流I<sub>DS</sub>(<sub>on</sub>)
检测对象：半导体集成电路模拟开关