北京市
联系电话：暂无
数据更新时间
2026-05-12
按“H”筛选，展示 60 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 15 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路 第Ⅳ篇第二节
检测项目：传输时间t<Sub>PLH</sub>、转换时间t<Sub>TLH</sub>、转换时间t<Sub>THL</sub>、输出允许时间T<Sub>en</sub>(<Sub>ZH</sub>)、输出禁止时间T<Sub>dis</sub>(<Sub>HZ</sub>)、输出高电平电压V<sub>OH</sub>、输入高电平电流I<sub>IH</sub>、输出高阻态高电平电流I<Sub>OZH</sub> 等 16 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路微处理器及外围接口电路
检测对象：半导体集成电路运算放大器
检测对象：CMOS数字集成电路
检测对象：半导体集成电路TTL电路
检测对象：半导体器件集成电路存储器
检测对象：半导体集成电路模拟开关
检测对象：现场可编程门阵列
检测对象：半导体集成电路时基电路
半导体集成电路 电平转换器测试方法
检测项目：输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>、输出高阻态时高电平电流I<Sub>OZH</Sub>、输出对电源短路电流I<Sub>OSH</Sub>、输出由低电平到高电平传输延时时间t<Sub>PLH</Sub>、输出由高电平到低电平传输延时时间t<Sub>PHL</Sub> 等 12 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路电平转换器
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006
集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ 20961-2006
检测项目：输出高电平V<Sub>OH</Sub>、数字输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>、数字输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>
检测对象：集成电路模拟/数字转换器
检测对象：集成电路数字/模拟转换器
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 方法
检测项目：输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</sub>
检测对象：半导体集成电路电压比较器
半导体集成电路 现场可编程门阵列测试方法 SJ/T 11706-2018
半导体集成电路 现场可编程门阵列测试方法 SJ/T 11706-2018
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>
检测对象：现场可编程门阵列
半导体器件 第8部分 场效应晶体管
检测项目：栅极阈值电压VGS（th）
检测对象：场效应晶体管
GB/T 4586-94
半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 第Ⅳ章 方法
检测项目：栅-源截止电压V<Sub>GSSth</sub>
检测对象：场效应晶体管
SJ/T10741-2000半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
SJ/T10741-2000半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理
检测项目：输出高电平电流I<sub>OH</sub>
检测对象：CMOS数字集成电路
GB/T 4587-94
半导体分立器件和集成电路第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章 第1节 9.6 第Ⅳ章 第2节
检测项目：正向电流传输比H<Sub>FE</Sub>
检测对象：双极型晶体管
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：正向电流传输比H<Sub>FE</Sub>
检测对象：双极型晶体管
半导体器件 第6部分：晶闸管
检测项目：维持电流I<Sub>H</Sub>
检测对象：晶闸管
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：栅极—发射极阈值电压V<Sub>GE</Sub>(th)
检测对象：绝缘栅双极型晶体管
半导体集成电路 电压比较器测试方法 SJ/T 10805-2018
半导体集成电路 电压比较器测试方法 SJ/T 10805-2018
检测项目：输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>
检测对象：半导体集成电路电压比较器
半导体集成电路电压比较器测试方法 SJ/T10805-2018
半导体集成电路电压比较器测试方法 SJ/T10805-2018
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</sub>
检测对象：半导体集成电路电压比较器
半导体集成电路电压调整器测试方法
检测项目：热调整率S<Sub>h</sub>
检测对象：半导体集成电路电压调整器