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2026-05-12
按“导体”筛选,展示 105 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。
按标准归类为 18 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项目:输入失调电压、输入失调电流、输入偏置电流、静态电源电流、开环电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出高电平电压 等 11 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路电压比较器
半导体器件 集成电路第2部分:数字集成电路
检测项目:输入钳位电压、输出低电平电压、输入高电平电流、输入低电平电流、输出短路电流、输出高阻态电流、静态条件下的电源电流、输出高电平电压 等 10 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路TTL电路
检测对象:半导体集成电路CMOS电路
检测对象:半导体集成电路MOS随机存储器
检测对象:半导体集成电路微处理器及外围接口电路
半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第6章第6.3节
检测项目:集电极-基极截止电流(直流法)、集电极-发射极截止电流(直流法)、集电极-发射极饱和电压、集电极-发射极电压、基极-发射极饱和电压(直流法)、集电极-基极电压、发射极-基极电压、基极-发射极电压(直流法) 等 9 项,点击展开全部
检测对象:双极型晶体管
半导体器件 集成电路第3部分:模拟集成电路
检测项目:输入失调电压、输入失调电流、输入偏置电流、静态电源电流、共模抑制比、电源电压抑制比、输出高电平电压、输出低电平电压
检测对象:半导体集成电路运算(电压)放大器
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015
检测项目:正向电压(输入二极管)、反向电流(二极管)、反向击穿电压 (二极管)、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、电流传输比、输出截止电流、开关特性测量
检测对象:光电耦合器
半导体集成电路 电压调整器测试方法
检测项目:电压调整率、电流调整率、纹波抑制比、输出电压、最小输入输出电压差、基准电压
检测对象:半导体集成电路电压调整器
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目:栅-源阈值电压、栅极截止电流和栅极泄漏电流、漏极电流、直流正向跨导、漏-源通态电压、漏-源通态电阻
检测对象:场效应晶体管
半导体器件 第6部分 晶闸管:
检测项目:通态电压、擎住电流、维持电流、断态电流、门极触发电压、门极触发电流
检测对象:晶闸管
半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021
半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021
检测项目:外观及机械检验、温度循环(空气-空气)、高温寿命、静电放电敏感度试验
检测对象:半导体分立器件
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021
检测项目:老炼(二极管_整流管_稳压管)、老炼(晶体管)、老炼和寿命试验、老炼试验
检测对象:半导体分立器件
GBT6571-1995
半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章 第1节
检测项目:正向电压、反向电流、工作电压、微分电阻
检测对象:开关二极管
检测对象:电压调整二极管
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
检测项目:正向电压、反向漏电流、击穿电压
检测对象:整流二极管
半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 1071细捡漏:I类器件试验条件H1粗捡漏: 试验条件C
半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 1071细捡漏:I类器件试验条件H1粗捡漏: 试验条件C
检测项目:密封
检测对象:半导体分立器件
半导体分立器件失效分析方法和程序 GJB3157-1998
半导体分立器件失效分析方法和程序 GJB3157-1998
检测项目:静电放电敏感度试验
检测对象:半导体分立器件
半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法
检测项目:耐湿
检测对象:电子元器件
GB-T 4377-2018
半导体集成电路 电压调整器测试方法
检测项目:静态电流
检测对象:半导体集成电路电压调整器
GB/T 17940
半导体器件 集成电路第3部分:模拟集成电路
检测项目:开环电压增益
检测对象:半导体集成电路运算(电压)放大器
半导体器件分立器件试验方法 GJB128B-2021
半导体器件分立器件试验方法 GJB128B-2021
检测项目:漏-源击穿电压
检测对象:场效应晶体管