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2026-05-12
按“S”筛选，展示 162 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 22 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
微电路模块总规范 SJ20668-1998
微电路模块总规范 SJ20668-1998
检测项目：高温贮存、温度循环、外部目检、物理尺寸、标识耐久性、可焊性、引出端强度、稳态湿热 等 10 项，点击展开全部
检测对象：微电路模块
SJ/T 10805-2000
电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018
检测项目：输入失调电压 V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 I<Sub>IB</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>
检测对象：电压比较器
SJ20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项目：输出电压 V<Sub>O</Sub>、输出电流I<Sub>O</Sub>、电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>
检测对象：DC-DC
JESD22-A104F.01-2023
温度循环
检测项目：温度冲击（气体介质）
检测对象：电子元器件
SJ/T 2885-2003
电子设备用固定电感器 第1部分 总规范
检测项目：电感值
检测对象：电感
金属镀覆层厚度测量方法 SJ 20129 方法
金属镀覆层厚度测量方法 SJ 20129 方法
检测项目：镀层厚度
检测对象：集成电路外壳
JEDEC JS-001-2023
静电放电敏感度测试人体模式
检测项目：静电放电敏感度分类
检测对象：电子元器件
EIA/JESD78F-2022
集成电路闩锁测试
检测项目：闩锁测试
检测对象：电子元器件
集成电路锁定试验 SJ20954-
集成电路锁定试验 SJ20954-
检测项目：闩锁测试
检测对象：电子元器件
JESD22-A102D-2010
加速抗潮湿高压锅试验 JESD22-A102E-
检测项目：高压蒸煮
检测对象：电子元器件
JESD22-A108G-2022
温度、通电和工作寿命
检测项目：寿命试验
检测对象：电子元器件
A108G-2022
低温工作寿命 JESD22-
检测项目：低温工作
检测对象：电子元器件
GB/T4937-2012
半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST) GB/T4937.4-
检测项目：强加速潮热
检测对象：电子元器件
《半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路 第II篇》
检测项目：输入钳位电压 V<Sub>IK</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、电源电流I<Sub>CC</Sub>、输出高电平时电源电流I<Sub>CCH</Sub>、输出低电平时电源电流 I<Sub>CCL</Sub> 等 26 项，点击展开全部
检测对象：TTL电路
检测对象：CMOS电路CPLDFPGA
检测对象：MOS随机存储器SDRAM随机存储器FLASH
检测对象：微处理器
QJ 3044-1998
半导体集成电路模/数转换器和数/模转换器测试方法
检测项目：电源电流 I<Sub>D</Sub>、信噪比 S/N、线性误差E<Sub>L</Sub>、微分线性误差E<Sub>DL</Sub>、失调误差E<Sub>O</Sub>、静态电源电流I<Sub>D</Sub>、增益误差E<Sub>G</Sub>、微分线性误差E<Sub>DL</Sub>(DNL）
检测对象：A/D（模数转换）
检测对象：D/A（数模转换）
QJ2491/1993
半导体集成电路运算放大器测试方法
检测项目：输入失调电压 V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 I<Sub>IB</Sub>、开环电压增益A<Sub>VD</Sub>、共模抑制比 K<Sub>CMR</Sub>、输出电压转换速率SR
检测对象：运算放大器
半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管
检测项目：集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR) CEO</Sub>、集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub>
检测对象：三极管
GB/T4377-1996
半导体集成电路电压调整器测试方法 GB/T4377-2018
检测项目：输出电压V<Sub>o</Sub>、电压调整率SV、电流调整率SI
检测对象：电压调整器
GB/T14028-1992
半导体集成电路模拟开关测试方法 GB/T14028-2018
检测项目：模拟电压工作范围V<Sub>A</Sub>、导通电阻R<Sub>ON</Sub>、截止态漏极漏电流I<Sub>D(OFF)</Sub>
检测对象：模拟开关
半导体分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
检测项目：正向压降V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、反向击穿电压V<Sub>BR</Sub>
检测对象：二极管
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应管 第IV章
检测项目：漏源击穿电压BV<Sub>DSS</Sub>、阈值电压V<Sub>GS(TO)</Sub>、通态漏源电阻r<Sub>ds(on)</Sub>
检测对象：场效应管
GJB4027B-2021
军用电子元器件破坏性物理分析方法
检测项目：扫描电子显微镜（SEM）检查
检测对象：电子元器件破坏性物理分析