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中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

当前查看:中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

北京市 · 北京市

地址:北京市海淀区万寿路27号

联系电话:010-68200821

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

按“U”筛选,展示 128 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。

按标准归类为 10 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

GB/T17574-1998

半导体器件集成电路 第2部分:数字集成电路 第Ⅳ篇 第2节

24 项检测项目

检测项目:输入钳位电压 V<Sub>IK</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、电源电流I<Sub>CC</Sub>、输出高电平时电源电流I<Sub>CCH</Sub>、输出低电平时电源电流 I<Sub>CCL</Sub> 等 24 项,点击展开全部

检测对象:TTL电路

输入钳位电压 V<Sub>IK</Sub>输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>电源电流I<Sub>CC</Sub>输出高电平时电源电流I<Sub>CCH</Sub>输出低电平时电源电流 I<Sub>CCL</Sub>输出由低电平到高电平传输延迟时间t<Sub>PLH</Sub>输出由高电平到低电平传输延迟时间t<Sub>PHL</Sub>输出由高阻态到高电平传输延迟时间t<Sub>PZH</Sub>输出由高阻态到低电平传输延迟时间t<Sub>PZL</Sub>输出由高电平到高阻态传输延迟时间t<Sub>PHZ</Sub>输出由低电平到高阻态传输延迟时间t<Sub>PLZ</Sub>

检测对象:CMOS电路CPLDFPGA

输入钳位电压 V<Sub>IK</Sub>输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>电源电流I<Sub>DD</Sub>输出由低电平到高电平传输延迟时间t<Sub>PLH</Sub>输出由高电平到低电平传输延迟时间t<Sub>PHL</Sub>

检测对象:MOS随机存储器SDRAM随机存储器FLASH

输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输入负载电流 I<Sub>LI</Sub>工作状态电源电流 I<Sub>CC</Sub>维持状态电源电流 I<Sub>CCS</Sub>

检测对象:微处理器

输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>静态工作电流I<Sub>SB</Sub>动态工作电流I<Sub>A</Sub>功能测试t<Sub>est</Sub>输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>输入低电平电流II<Sub>L</Sub>

QJ 3044-1998

半导体集成电路模/数转换器和数/模转换器测试方法

7 项检测项目

检测项目:电源电流 I<Sub>D</Sub>、线性误差E<Sub>L</Sub>、微分线性误差E<Sub>DL</Sub>、失调误差E<Sub>O</Sub>、静态电源电流I<Sub>D</Sub>、增益误差E<Sub>G</Sub>、微分线性误差E<Sub>DL</Sub>(DNL)

检测对象:A/D(模数转换)

电源电流 I<Sub>D</Sub>线性误差E<Sub>L</Sub>微分线性误差E<Sub>DL</Sub>失调误差E<Sub>O</Sub>

检测对象:D/A(数模转换)

静态电源电流I<Sub>D</Sub>失调误差E<Sub>O</Sub>增益误差E<Sub>G</Sub>线性误差E<Sub>L</Sub>微分线性误差E<Sub>DL</Sub>微分线性误差E<Sub>DL</Sub>(DNL)

SJ/T 10805-2000

电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018

5 项检测项目

检测项目:输入失调电压 V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 I<Sub>IB</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>

检测对象:电压比较器

输入失调电压 V<Sub>IO</Sub>输入失调电流I<Sub>IO</Sub>输入偏置电流 I<Sub>IB</Sub>输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>

QJ2491/1993

半导体集成电路运算放大器测试方法

5 项检测项目

检测项目:输入失调电压 V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 I<Sub>IB</Sub>、开环电压增益A<Sub>VD</Sub>、共模抑制比 K<Sub>CMR</Sub>

检测对象:运算放大器

输入失调电压 V<Sub>IO</Sub>输入失调电流I<Sub>IO</Sub>输入偏置电流 I<Sub>IB</Sub>开环电压增益A<Sub>VD</Sub>共模抑制比 K<Sub>CMR</Sub>

SJ20646-1997

混合集成电路DC/DC变换器测试方法

4 项检测项目

检测项目:输出电压 V<Sub>O</Sub>、输出电流I<Sub>O</Sub>、电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>

检测对象:DC-DC

输出电压 V<Sub>O</Sub>输出电流I<Sub>O</Sub>电压调整率S<Sub>V</Sub>电流调整率S<Sub>I</Sub>
GB/T 4587-2023

半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

4 项检测项目

检测项目:集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR) CEO</Sub>、集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub>

检测对象:三极管

集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR) CEO</Sub>集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub>

GB/T14028-1992

半导体集成电路模拟开关测试方法 GB/T14028-2018

3 项检测项目

检测项目:模拟电压工作范围V<Sub>A</Sub>、导通电阻R<Sub>ON</Sub>、截止态漏极漏电流I<Sub>D(OFF)</Sub>

检测对象:模拟开关

模拟电压工作范围V<Sub>A</Sub>导通电阻R<Sub>ON</Sub>截止态漏极漏电流I<Sub>D(OFF)</Sub>
GB/T 4023-2015

半导体分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

3 项检测项目

检测项目:正向压降V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、反向击穿电压V<Sub>BR</Sub>

检测对象:二极管

正向压降V<Sub>F</Sub>反向电流I<Sub>R</Sub>反向击穿电压V<Sub>BR</Sub>
GB/T4586-1994

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应管 第IV章

3 项检测项目

检测项目:漏源击穿电压BV<Sub>DSS</Sub>、阈值电压V<Sub>GS(TO)</Sub>、通态漏源电阻r<Sub>ds(on)</Sub>

检测对象:场效应管

漏源击穿电压BV<Sub>DSS</Sub>阈值电压V<Sub>GS(TO)</Sub>通态漏源电阻r<Sub>ds(on)</Sub>

GB/T4377-1996

半导体集成电路电压调整器测试方法 GB/T4377-2018

1 项检测项目

检测项目:输出电压V<Sub>o</Sub>

检测对象:电压调整器

输出电压V<Sub>o</Sub>

机构信息

机构名称

中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

所在地区

北京市 · 北京市

企业地址

北京市海淀区万寿路27号

联系电话

010-68200821

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