数据更新时间
2026-05-12
按“阈值”筛选，展示 2 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
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IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV
半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管
检测项目：栅极阈值电压(VGS(th))
检测对象：金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)
IEC 60747-9:2019
半导体器件 第9部分：分立器件 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
检测项目：栅极阈值电压 (VGE(th))
检测对象：绝缘栅双极晶体管(IGBT)