数据更新时间
2026-05-12
按“Mo”筛选，展示 9 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
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IEC 60747-8:2010+AMD1:2021 CSV
半导体器件 分立器件 第 8 部分：场效应晶体管
检测项目：漏源击穿电压 (V(BR)DSS，V(BR)DSR，V(BR)DSX)、栅极阈值电压(VGS(th))、漏极漏电(直流)(IDSS, IDSR, IDSX)、栅极漏电流(IGSS, IGSR, IGSX)、（静态）漏源导通电阻、漏源导通电压(RDS(on), VDS(on))、开关时间(td(on), tr, td(off), tf)、开启能量(每脉冲)E(on)、关断能量(每脉冲)E(on) 等 9 项，点击展开全部
检测对象：金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)