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鹏城检测深圳有限公司

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广东省

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数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 100 条能力;该机构共 122 条能力记录。

按标准归类为 14 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

GB/T 17574-1998

半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第IV篇3节

9 项检测项目

检测项目:功能检验、输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>、静态条件下 的电源电流、输入箝位电压<I>V</I><Sub>IK</Sub>、静态工作电源电流 等 9 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路TTL电路

功能检验输入箝位电压<I>V</I><Sub>IK</Sub>输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>输出短路电流<I>I</I><Sub>OS</Sub>

检测对象:半导体集成电路CMOS电路

输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>静态条件下 的电源电流

检测对象:半导体集成电路MOS随机存储器

功能检验输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>静态工作电源电流

检测对象:半导体集成电路模拟开关

输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>静态工作电源电流

检测对象:半导体集成电路时基电路

输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>
GB/T 6798-1996

半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理

9 项检测项目

检测项目:输入失调电压<I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流<I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流<I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗<I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压增益<I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub> 等 9 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路电压比较器

输入失调电压<I>V</I><Sub>IO</Sub>输入失调电流<I>I</I><Sub>IO</Sub>输入偏置电流<I>I</I><Sub>IB</Sub>静态功耗<I>P</I><Sub>D</Sub>开环电压增益<I>A</I><Sub>VD</Sub>共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>
GB/T 14030-1992

半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理

8 项检测项目

检测项目:复位电压 <I>V</I><Sub>R</Sub>、复位电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>、触发电压 <I>V</I><Sub>TR</Sub>、触发电流 <I>I</I><Sub>TR</Sub>、阈值电压 <I>V</I><Sub>T</Sub>、阈值电流 <I>I</I><Sub>T</Sub>、控制端电压 <I>V</I><Sub>C</Sub>、静态电源电流 <I>I</I><Sub>+</Sub>

检测对象:半导体集成电路时基电路

复位电压 <I>V</I><Sub>R</Sub>复位电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>触发电压 <I>V</I><Sub>TR</Sub>触发电流 <I>I</I><Sub>TR</Sub>阈值电压 <I>V</I><Sub>T</Sub>阈值电流 <I>I</I><Sub>T</Sub>控制端电压 <I>V</I><Sub>C</Sub>静态电源电流 <I>I</I><Sub>+</Sub>
GB/T 4587-2023

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管

8 项检测项目

检测项目:共发射极正向电流传输比(<I>h</I><Sub>21E</Sub>)(输出电压保持不变)(直流或脉冲法)、集电极-基极截止电流(直流法)(<I>I</I><Sub>CBO</Sub>)、发射集-基极截止电流(直流法)(<I>I</I><Sub>EBO</Sub>)、集电极-发射极截止电流(直流法)(<I>I</I><Sub>CEO</Sub>、<I>I</I><Sub>CEX</Sub>、<I>I</I><Sub>CES</Sub>、<I>I</I><Sub>CER</Sub>)、集电极-发射极饱和电压 (<I>V</I><Sub>CEsat</Sub>)、基极-发射极饱和电压(<I>V</I><Sub>BEsat</Sub>)、集电极-基极电压 (<I>V</I><Sub>CBO</Sub>、<I>V</I><Sub>CBS</Sub>、<I>V</I><Sub>CBR</Sub>、<I>V</I><Sub>CBX</Sub>)、发射极-基极电压 (<I>V</I><Sub>EBO</Sub>)、输入电压(<I>V</I><Sub>I</Sub>)

检测对象:双极型晶体管

共发射极正向电流传输比(<I>h</I><Sub>21E</Sub>)(输出电压保持不变)(直流或脉冲法)集电极-基极截止电流(直流法)(<I>I</I><Sub>CBO</Sub>)发射集-基极截止电流(直流法)(<I>I</I><Sub>EBO</Sub>)集电极-发射极截止电流(直流法)(<I>I</I><Sub>CEO</Sub>、<I>I</I><Sub>CEX</Sub>、<I>I</I><Sub>CES</Sub>、<I>I</I><Sub>CER</Sub>)集电极-发射极饱和电压 (<I>V</I><Sub>CEsat</Sub>)基极-发射极饱和电压(<I>V</I><Sub>BEsat</Sub>)集电极-基极电压 (<I>V</I><Sub>CBO</Sub>、<I>V</I><Sub>CBS</Sub>、<I>V</I><Sub>CBR</Sub>、<I>V</I><Sub>CBX</Sub>)发射极-基极电压 (<I>V</I><Sub>EBO</Sub>)、输入电压(<I>V</I><Sub>I</Sub>)

GJB 548B-2005

微电子器件试验方法和程序 方法

7 项检测项目

检测项目:外部目检、外形尺寸、内部目检、粒子碰撞噪声检测、恒定加速度、密封性试验、老炼试验

检测对象:电子及电气元件

外部目检外形尺寸内部目检粒子碰撞噪声检测恒定加速度密封性试验老炼试验

GJB 128A-1997

半导体分立器件试验方法 方法

7 项检测项目

检测项目:外部目检、外形尺寸、内部目检、粒子碰撞噪声检测、恒定加速度、密封性试验、漏源击穿电压

检测对象:电子及电气元件

外部目检外形尺寸内部目检粒子碰撞噪声检测恒定加速度密封性试验

检测对象:场效应晶体管

漏源击穿电压
GB/T 14028-2018

半导体集成电路 模拟开关测试方法

7 项检测项目

检测项目:导通电阻<I>R</I><Sub>on</Sub>、截止态漏极漏电流 <I>I</I><Sub>D</Sub><Sub>(</Sub><Sub>off</Sub><Sub>)</Sub>、截止态源极漏电流 <I>I</I><Sub>S</Sub><Sub>(</Sub><Sub>off</Sub><Sub>)</Sub>、导通态漏电流 <I>I</I><Sub>DS(on)</Sub>、开启时间 <I>t</I><Sub>on</Sub>、关断时间 <I>t</I><Sub>off</Sub>、通道转换时间 <I>t</I><Sub>T</Sub>

检测对象:半导体集成电路模拟开关

导通电阻<I>R</I><Sub>on</Sub>截止态漏极漏电流 <I>I</I><Sub>D</Sub><Sub>(</Sub><Sub>off</Sub><Sub>)</Sub>截止态源极漏电流 <I>I</I><Sub>S</Sub><Sub>(</Sub><Sub>off</Sub><Sub>)</Sub>导通态漏电流 <I>I</I><Sub>DS(on)</Sub>开启时间 <I>t</I><Sub>on</Sub>关断时间 <I>t</I><Sub>off</Sub>通道转换时间 <I>t</I><Sub>T</Sub>
GJB 9147-2017

半导体集成电路运算放大器测试方法

7 项检测项目

检测项目:输入失调电压<I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流<I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗<I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压 增益<I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出峰峰电压<I>V</I><Sub>OPP</Sub>

检测对象:半导体集成电路运算放大器

输入失调电压<I>V</I><Sub>IO</Sub>输入偏置电流<I>I</I><Sub>IB</Sub>静态功耗<I>P</I><Sub>D</Sub>开环电压 增益<I>A</I><Sub>VD</Sub>共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>输出峰峰电压<I>V</I><Sub>OPP</Sub>

GJB360B-2009

电子及电气试验方法 方法

6 项检测项目

检测项目:粒子碰撞噪声检测、恒定加速度、密封性试验、温度冲击、高温寿命试验、绝缘电阻

检测对象:电子及电气元件

粒子碰撞噪声检测恒定加速度密封性试验温度冲击高温寿命试验

检测对象:电阻

绝缘电阻
GB/T 4586-1994

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第IV章

6 项检测项目

检测项目:栅极截止电流或栅极漏泄电流、漏极电流、漏极截止电流、栅-源阈值电压、小信号短路正向跨导、静态漏-源通态电阻

检测对象:场效应晶体管

栅极截止电流或栅极漏泄电流漏极电流漏极截止电流栅-源阈值电压小信号短路正向跨导静态漏-源通态电阻
GB/T 6571-1995

半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第IV章第1节

5 项检测项目

检测项目:反向电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>、正向电压 <I>V</I><Sub>F</Sub>、工作电压 <I>V</I><Sub>Z</Sub>、微分电阻 <I>R</I><Sub>Z</Sub>、极限电压 <I>V</I><Sub>L</Sub>

检测对象:二极管

反向电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>正向电压 <I>V</I><Sub>F</Sub>工作电压 <I>V</I><Sub>Z</Sub>微分电阻 <I>R</I><Sub>Z</Sub>极限电压 <I>V</I><Sub>L</Sub>

SJ 20646-1997

混合集成电路DC/DC变换器测试方法

3 项检测项目

检测项目:输出电压温度系数 <I>S</I><Sub>T</Sub>、效率、绝缘电阻

检测对象:混合集成电路DC/DC变换器

输出电压温度系数 <I>S</I><Sub>T</Sub>效率绝缘电阻

GJB 150.4A-2009

军用装备实验室环境试验方法 第4部分:低温试验

1 项检测项目

检测项目:低温试验

检测对象:电子组件

低温试验

GJB 150.3A-2009

军用装备实验室环境试验方法 第3部分:高温试验

1 项检测项目

检测项目:高温试验

检测对象:电子组件

高温试验

机构信息

机构名称

鹏城检测深圳有限公司

所在地区

广东省

企业地址

暂无地址信息

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