广东省
联系方式:登录后由我来检协助对接
数据更新时间
2026-05-12
当前展示该机构前 100 条能力;该机构共 122 条能力记录。
按标准归类为 14 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。
半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第IV篇3节
检测项目:功能检验、输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压<I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入高电平电流<I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>、静态条件下 的电源电流、输入箝位电压<I>V</I><Sub>IK</Sub>、静态工作电源电流 等 9 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路TTL电路
检测对象:半导体集成电路CMOS电路
检测对象:半导体集成电路MOS随机存储器
检测对象:半导体集成电路模拟开关
检测对象:半导体集成电路时基电路
半导体集成电路 电压比较器测试方法的基本原理
检测项目:输入失调电压<I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流<I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流<I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗<I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压增益<I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出高电平电压<I>V</I><Sub>OH</Sub> 等 9 项,点击展开全部
检测对象:半导体集成电路电压比较器
半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项目:复位电压 <I>V</I><Sub>R</Sub>、复位电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>、触发电压 <I>V</I><Sub>TR</Sub>、触发电流 <I>I</I><Sub>TR</Sub>、阈值电压 <I>V</I><Sub>T</Sub>、阈值电流 <I>I</I><Sub>T</Sub>、控制端电压 <I>V</I><Sub>C</Sub>、静态电源电流 <I>I</I><Sub>+</Sub>
检测对象:半导体集成电路时基电路
半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管
检测项目:共发射极正向电流传输比(<I>h</I><Sub>21E</Sub>)(输出电压保持不变)(直流或脉冲法)、集电极-基极截止电流(直流法)(<I>I</I><Sub>CBO</Sub>)、发射集-基极截止电流(直流法)(<I>I</I><Sub>EBO</Sub>)、集电极-发射极截止电流(直流法)(<I>I</I><Sub>CEO</Sub>、<I>I</I><Sub>CEX</Sub>、<I>I</I><Sub>CES</Sub>、<I>I</I><Sub>CER</Sub>)、集电极-发射极饱和电压 (<I>V</I><Sub>CEsat</Sub>)、基极-发射极饱和电压(<I>V</I><Sub>BEsat</Sub>)、集电极-基极电压 (<I>V</I><Sub>CBO</Sub>、<I>V</I><Sub>CBS</Sub>、<I>V</I><Sub>CBR</Sub>、<I>V</I><Sub>CBX</Sub>)、发射极-基极电压 (<I>V</I><Sub>EBO</Sub>)、输入电压(<I>V</I><Sub>I</Sub>)
检测对象:双极型晶体管
GJB 548B-2005
微电子器件试验方法和程序 方法
检测项目:外部目检、外形尺寸、内部目检、粒子碰撞噪声检测、恒定加速度、密封性试验、老炼试验
检测对象:电子及电气元件
GJB 128A-1997
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目:外部目检、外形尺寸、内部目检、粒子碰撞噪声检测、恒定加速度、密封性试验、漏源击穿电压
检测对象:电子及电气元件
检测对象:场效应晶体管
半导体集成电路 模拟开关测试方法
检测项目:导通电阻<I>R</I><Sub>on</Sub>、截止态漏极漏电流 <I>I</I><Sub>D</Sub><Sub>(</Sub><Sub>off</Sub><Sub>)</Sub>、截止态源极漏电流 <I>I</I><Sub>S</Sub><Sub>(</Sub><Sub>off</Sub><Sub>)</Sub>、导通态漏电流 <I>I</I><Sub>DS(on)</Sub>、开启时间 <I>t</I><Sub>on</Sub>、关断时间 <I>t</I><Sub>off</Sub>、通道转换时间 <I>t</I><Sub>T</Sub>
检测对象:半导体集成电路模拟开关
半导体集成电路运算放大器测试方法
检测项目:输入失调电压<I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流<I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗<I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压 增益<I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比<I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出峰峰电压<I>V</I><Sub>OPP</Sub>
检测对象:半导体集成电路运算放大器
GJB360B-2009
电子及电气试验方法 方法
检测项目:粒子碰撞噪声检测、恒定加速度、密封性试验、温度冲击、高温寿命试验、绝缘电阻
检测对象:电子及电气元件
检测对象:电阻
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第IV章
检测项目:栅极截止电流或栅极漏泄电流、漏极电流、漏极截止电流、栅-源阈值电压、小信号短路正向跨导、静态漏-源通态电阻
检测对象:场效应晶体管
半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第IV章第1节
检测项目:反向电流 <I>I</I><Sub>R</Sub>、正向电压 <I>V</I><Sub>F</Sub>、工作电压 <I>V</I><Sub>Z</Sub>、微分电阻 <I>R</I><Sub>Z</Sub>、极限电压 <I>V</I><Sub>L</Sub>
检测对象:二极管
SJ 20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法
检测项目:输出电压温度系数 <I>S</I><Sub>T</Sub>、效率、绝缘电阻
检测对象:混合集成电路DC/DC变换器
GJB 150.4A-2009
军用装备实验室环境试验方法 第4部分:低温试验
检测项目:低温试验
检测对象:电子组件
GJB 150.3A-2009
军用装备实验室环境试验方法 第3部分:高温试验
检测项目:高温试验
检测对象:电子组件