数据更新时间
2026-05-12
按“U”筛选，展示 66 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
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半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 方法
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、开环电压增益A<Sub>VD</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub> 等 13 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路电压比较器
半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017 方法
半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017 方法
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、开环电压增益A<Sub>VO</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出峰峰电压V<Sub>OPP</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路运算电压放大器
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法
检测项目：正向电压（输入二极管）V<Sub>F</Sub>、反向电流（二极管）I<Sub>R</Sub>、反向击穿电压（二极管）V<Sub>BR</Sub>、集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CE(sat)</Sub>、集电极-发射极截止电流（直流法）I<Sub>CEO</Sub>、脉冲上升时间t<Sub>r</Sub>、脉冲下降时间t<Sub>f</Sub>
检测对象：半导体光电耦合器
半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路 第2节
检测项目：输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、输出短路电流I<Sub>OS</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZ</Sub>
检测对象：TTL集成电路
检测对象：半导体集成电路存储器
检测对象：半导体集成电路微处理器及外围接口电路
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
检测项目：集电极-基极截止电流（直流法）I<Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流（直流法）I<Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极截止电流（直流法）I<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub>、共发射极正向电流传输比（输出电压保持不变） （直流或脉冲法）h<Sub>21E</Sub>
检测对象：双极型晶体管
集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法 GJB 9388-2018 方法
集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法 GJB 9388-2018 方法
检测项目：失调误差E<Sub>O</Sub>、增益误差E<Sub>G</Sub>、满度误差E<Sub>FS</Sub>、功耗P<Sub>W</Sub>
检测对象：集成电路模拟数字、数字模拟转换器（仅限 14 位及 14 位以 下）
半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>
检测对象：信号（包括开关）和调整二极管
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章第1节
检测项目：发射极电流为零时的集电极-基极击穿电压V <Sub>（BR）CBO</Sub>、集电极电流为零时的发射极-基极击穿电压V <Sub>(BR)EBO</Sub>
检测对象：双极型晶体管
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目：栅-源阈值电压V <Sub>GS（TO）</Sub>
检测对象：场效应晶体管