数据更新时间
2026-05-12
按“导体”筛选,展示 16 条相关能力(含该机构旗下分支机构)。
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IEC 60747-9-2007
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:集电极截止电流I<sub>CES</sub>、栅极-发射极阈值电压V<sub>GEth</sub>、集电极-发射极饱和电压V<sub>CEsat</sub>、集电极-发射极电压V<sub>CES</sub>、栅极漏电流I<sub>GES</sub>、高温阻断、高温栅极偏置
检测对象:绝缘栅双极晶体管
半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:栅极-发射极阈值电压V<sub>GEth</sub>、集电极-发射极饱和电压V<sub>CEsat</sub>、集电极-发射极电压V<sub>CES</sub>、栅极漏电流I<sub>GES</sub>、高温阻断、高温栅极偏置、集电极截止电流I<sub>CES</sub>
检测对象:绝缘栅双极晶体管
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温
检测项目:低温试验
检测对象:半导体器件
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温
检测项目:高温试验
检测对象:半导体器件