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2026-05-12
当前展示该机构前 100 条能力；该机构共 102 条能力记录。
按标准归类为 42 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
IEC 60747-8:2021 Edition 3.1
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 方法
检测项目：漏源/集射间反向击穿电压、阈值电压、通态电阻、漏/集电极反向漏电流、栅极漏电流、通态电压、体二极管压降、栅极内阻 等 17 项，点击展开全部
检测对象：绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管
MIL-STD-750-3w/CHANGE 2:2023
半导体器件 晶体管电气测试方法 第3部分:测试方法3000至3999 方法
检测项目：热阻、漏源/集射间反向击穿电压、阈值电压、通态电阻、漏/集电极反向漏电流、栅极漏电流、栅极内阻、栅极电荷 等 13 项，点击展开全部
检测对象：绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管
IEC 60747-9:2019 Edition 3.0
半导体器件-第9部分:分立器件-绝缘栅双极型晶体管测试(IGBTs) 方法
检测项目：漏源/集射间反向击穿电压、阈值电压、漏/集电极反向漏电流、栅极漏电流、通态电压、栅极内阻、输入电容、输出电容 等 9 项，点击展开全部
检测对象：绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：扫描电子显微镜（SEM）检查、物理尺寸、端子强度测试、温度循环试验、X射线检测、键合强度、漏源/集射间反向击穿电压、开关时间
检测对象：半导体器件
检测对象：绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管
GJB 548C-2021
微电子器件试验方法和程序 方法
检测项目：扫描电子显微镜（SEM）检查、破坏性物理分析（DPA）的内部目检、玻璃钝化层的完整性检查、X射线检测、键合强度、剪切强度
检测对象：半导体器件
MIL-STD-883-2:2019
国防部 测试方法标准 微电路机械测试方法 第2部分：测试方法2000-2999 方法
检测项目：扫描电子显微镜（SEM）检查、超声检测、X射线检测、键合强度、剪切强度
检测对象：半导体器件
AEC-Q101-004-REV:1996
车用分立半导体元器件的基于失效机理的应用测试验证 附件4 杂项测试方法 章节
检测项目：破坏性物理分析（DPA）的内部目检、介电完整性、单脉冲雪崩能量
检测对象：半导体器件
检测对象：绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管
MIL-STD-750-1B:2022
半导体器件的环境试验方法 第1部分：测试方法 方法
检测项目：高温反偏试验、间歇寿命试验
检测对象：半导体器件
MIL-STD-750-2Bw/CHANGE 1: 2023
国防部测试方法标准机械测试方法半导体器件第2部分：测试方法2001至2999 方法
检测项目：端子强度测试、X射线检测
检测对象：半导体器件
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 方法
检测项目：漏源/集射间反向击穿电压、体二极管压降
检测对象：绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管
JESD22-A113I:2020
非密封表面贴装器件在可靠性测试之前的预处理方法
检测项目：预处理试验
检测对象：半导体器件
JESD22-A118B.01:2021
无偏置高加速应力试验
检测项目：高加速温湿度应力试验
检测对象：半导体器件
JESD51-14:2010
一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法
检测项目：热阻
检测对象：绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管
JEDEC JESD24-3:1990(2002)
垂直功率MOSFET的热阻抗测量（Δ源极-漏极电压法）
检测项目：热阻
检测对象：绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管
JESD22-A108G:2022
温度、偏压和工作寿命
检测项目：高温栅偏试验
检测对象：半导体器件
MIL−STD−750−2B w/CHANGE 1:2023
国防部测试方法标准机械测试方法半导体器件第2部分：测试方法2001至2999 方法
检测项目：扫描电子显微镜（SEM）检查
检测对象：半导体器件
J-STD-020F:2022
非密封表面贴装器件的湿度/回流灵敏度分类
检测项目：预处理试验
检测对象：半导体器件
JESD22-B100B:2003(2021)
物理尺寸
检测项目：物理尺寸
检测对象：半导体器件
AEC-Q006-Rev-A:2016
使用铜(Cu)线互连的部件的鉴定要求
检测项目：铜(Cu)线互连的部件的鉴定试验
检测对象：半导体器件
ANSI/ESDA/JEDEC JS-001:2024
器件级静电放电灵敏度测试-人体模式
检测项目：静电放电人体模型
检测对象：半导体器件
MIL-STD-883-3:2019
国防部试验方法标准 微电路电性试验方法 方法
检测项目：静电放电人体模型
检测对象：半导体器件
AEC-Q101-001 Rev-A:2005
人体模型静电放电测试
检测项目：静电放电人体模型
检测对象：半导体器件
ANSI/ESDA/JEDEC JS-002:2022
静电放电敏感度试验充电器件模型
检测项目：静电放电充电器件模型
检测对象：半导体器件
AEC-Q101-005 Rev-A:2019
充电器件模型静电放电试验
检测项目：静电放电充电器件模型
检测对象：半导体器件
JESD22-B101D:2022
外观目视
检测项目：外观目视
检测对象：半导体器件
IPC/JEDEC J-STD-035A:2022
非气密性封装元件的声学显微镜检查方法
检测项目：超声检测
检测对象：半导体器件
JESD22-A111B:2018
通过小型表面安装固态器件的全身焊锡浸入确定底部侧板连接能力的评估程序
检测项目：耐焊接热试验
检测对象：半导体器件
JESD22-B106E:2016
通孔安装器件的抗焊接冲击性
检测项目：耐焊接热试验
检测对象：半导体器件
JESD22-B102E:2007
易焊性
检测项目：易焊性试验
检测对象：半导体器件
JESD22-A104F.01:2023
温度循环测试 章节 5.2, 条件 B, C, H
检测项目：温度循环试验
检测对象：半导体器件
JESD22-B116B:2017
键合点剪切力测试方法
检测项目：键合点剪切强度
检测对象：半导体器件
AEC-Q101-003-REV-A:2005
引线键合点剪切试验
检测项目：键合点剪切强度
检测对象：半导体器件
MIL-STD-750-2:2012
国防部测试方法标准机械测试方法半导体器件第2部分：测试方法2001至2999 方法
检测项目：剪切强度
检测对象：半导体器件
JESD22-A102E:2021
加速耐湿性试验-不加电高压蒸煮
检测项目：高压蒸煮试验
检测对象：半导体器件
AEC-Q005-Rev-A:2010
无铅试验
检测项目：晶须生长评估
检测对象：半导体器件
JESD201A:2008（2020）
锡和锡合金表面处理剂锡须敏感性的环境验收要求
检测项目：晶须生长评估
检测对象：半导体器件
JESD22-A103E.01:2021
高温存储寿命测试
检测项目：高温贮存试验
检测对象：半导体器件
JESD22-A119A:2021
低温存储寿命测试
检测项目：低温存储试验
检测对象：半导体器件
MIL-STD-750-4w/CHANGE3:2019
半导体器件 晶体管电气测试方法 第4部分:测试方法4000至4999 方法
检测项目：体二极管压降
检测对象：绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管
JEDEC JESD24-11:1996(2002)
功率金属-氧化物半导体场效应晶体管等效串联栅极电阻测试方法
检测项目：栅极内阻
检测对象：绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管
JESD22-A101D.01:2021
稳态温湿度偏置寿命试验
检测项目：高温高湿反偏试验
检测对象：半导体器件
JESD22-A110E.01:2021
高加速温湿度应力试验
检测项目：高加速温湿度应力试验
检测对象：半导体器件