数据更新时间
2026-05-12
按“H”筛选，展示 20 条相关能力（含该机构旗下分支机构）。
按标准归类为 5 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
MIL-STD-750-3w/CHANGE 2:2023
半导体器件 晶体管电气测试方法 第3部分:测试方法3000至3999 方法
检测项目：热阻、漏源/集射间反向击穿电压、阈值电压、通态电阻、漏/集电极反向漏电流、栅极漏电流、栅极内阻、栅极电荷 等 13 项，点击展开全部
检测对象：绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管
MIL-STD-750-2Bw/CHANGE 1: 2023
国防部测试方法标准机械测试方法半导体器件第2部分：测试方法2001至2999 方法
检测项目：端子强度测试、X射线检测
检测对象：半导体器件
MIL−STD−750−2B w/CHANGE 1:2023
国防部测试方法标准机械测试方法半导体器件第2部分：测试方法2001至2999 方法
检测项目：扫描电子显微镜（SEM）检查
检测对象：半导体器件
JESD22-A104F.01:2023
温度循环测试 章节 5.2, 条件 B, C, H
检测项目：温度循环试验
检测对象：半导体器件
MIL-STD-750-4w/CHANGE3:2019
半导体器件 晶体管电气测试方法 第4部分:测试方法4000至4999 方法
检测项目：体二极管压降
检测对象：绝缘栅双极型晶体管、金属-氧化物半导体场效应晶体管