数据更新时间
2026-05-12
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半导体分立 器件和集成 电路第7部分 ：双极型晶体管 第Ⅳ章 第1节
检测项目：发射极电流为零时的集电极 基极击穿电压V<SUB>（（BR）CBO）</SUB>、集电极电流为零时的发射极 基极击穿电压V<Sub>（（BR）EBO）</Sub>、集电极-发射极击穿电压V<Sub>（（BR）CE）</Sub>、集电极-基极截止电流（反向电流）（I<Sub>CBO</Sub>）、发射极-基极截止电流（反向电流）（I<Sub>EBO</Sub>）、集电极-发射极截止电流（直流法）（I<SUB>CEO</SUB>,I<SUB>CER</SUB>,I<SUB>CEX</SUB>,I<SUB>CES</SUB>）、集电极-发射极饱和电压（V<Sub>CEsat</Sub>）、基极-发射极饱和电压（V<Sub>BEsat</Sub>）
检测对象：双极型晶体管
半导体集成电路电压调整器测试方法
检测项目：电流调整 率（S<Sub>I</Sub>）、电压调整率（S<Sub>v</Sub>）
检测对象：电压调整器
半导体器件分立器件 第 8部分：场效应晶体管 第 Ⅳ章
检测项目：栅-源阈值电压（C型）（V<Sub>GS（TO）</Sub>）、通态漏-源电阻（在小信号条件下）(r<Sub>ds（on）</Sub>)
检测对象：场效应晶体管